Как изменить частоту памяти озу

Помогла ли Вам статья?

На компьютере установлена оперативная память, которая по характеристикам должна работать на тактовой частоте 2666 МГц, а материнская плата автоматически снижает ее до 2133. Узнаем подробнее, как изменить частоту оперативной памяти на заявленное в характеристике.

Проверка характеристики материнской платы

При выборе оперативной памяти мы обращаем внимание не только на тип DDR3 или DDR4, но и на тактовую частоту. Как правило, выбираем модули ОЗУ с максимальной частотой при условии, что материнская плата поддерживает эту скорость передачи данных.

Но может случиться так, что при подключении DDR4 2666 МГц может быть понижена до 2133 МГц. Почему так происходит и что нужно делать?

Причиной снижения может быть то, что материнская плата не совместима со столь быстрой оперативной памяти и автоматически снижает до своего оптимального значения.

В этом случае, уже ничего не сделаем – модули ОЗУ будут работать с той скоростью обмена данными, которую максимально поддерживает системная плата. Например, если подключим планки DDR4 2666 МГц, а «плита» поддерживает не более 2133, то частота будет снижена до максимально значения. То есть DDR4 2666 МГц будет работать как DDR4 2133.

Для начала проверьте спецификацию системного устройства в инструкции или на сайте производителя.

Например, у меня системная плата поддерживает DDR4 2666/2400/2133. Но, несмотря на это, при подключении модулей на 2666 снижает скорость обмена до 2400.

Часто так происходит потому, что производителем установлены «безопасные» настройки. Чтобы использовать максимальное значение, установите его самостоятельно.

Изменение частоты оперативной памяти вручную

Если убедились, что устройство поддерживает частоту, совместимую с приобретенной планкой ОЗУ, и, тем не менее, снижает до более низкого значения, то можно ее изменить вручную.

Соответствующие изменения нужно внести в настройках Bios / UEFI.

Если на компьютере установлен Windows 10, удерживая клавишу Shift извлеките меню Пуск, кликните на кнопку «Выключить» и выберите пункт «Перезагрузка».

Появится экран «Выбор действия». Выберите «Поиск и устранение неисправностей – Дополнительные параметры – Параметры загрузки – Параметры встроенного ПО UEFI».

Если эта опция не срабатывает, или система давно не обновлялась, то в Биос можно зайти обычным способом, нажав соответствующую клавишу при загрузке компьютера. При включении компьютера на первом экране отобразится надпись «Press DEL to enter SETUP» или похожая, с указанием клавиши, которую нужно нажать для входа в Биос.

Когда вошли в Bios / UEFI, то найдите пункт «DRAM Frequency» или «Memory Frequency». Он может быть расположен в разных закладках в зависимости от производителя системной платы.

В материнских платах MSI находится в разделе «ОС», у Gigabyte он расположен в настройках M.I.T — Advanced Frequency Settings.

Либо можно просто пересмотреть все доступные закладки, пока не найдете «DRAM Frequency». Когда найдете эту вкладку, то она уже содержит варианты для выбора (например, DDR4-2666, 2400, 2133).

Установите значение, на которой работает оперативная память.

После установки сохраните изменения. Перейдите на главный экран Bios / UEFI, выберите пункт «Save settings and reboot» (Сохранить изменения и перезагрузить). После перезагрузки ОЗУ будет работать на оптимальной скорости.

Если не можете найти вкладку ручной настройки, то поищите функцию X.M.P. При включении функции, частота будет автоматически переключена на оптимальную для достижения максимальной производительности компьютера.

Предупреждение 1: В данной статье не будет подробных материалов по настройке ODT, RTT и прочих параметров не относящихся к настройке таймингов и частоты, т.к. эти параметры индивидуальны для каждой системы и, как показывает практика, полезны лишь тем людям, которые готовы потратить много времени на их настройку вручную, чтобы получить максимум скорости ОЗУ.

   
Предупреждение 2: Не забывайте про опасность чрезмерного повышения напряжения, уровень рабочего напряжения индивидуален для каждого модуля ОЗУ, некоторые модули ОЗУ не терпят повышение напряжения выше номинального, и повышение напряжения на такие модули памяти может плохо сказаться на стабильности.

   
Предупреждение 3: Модули памяти не любят высокие температуры, при сильном разгоне следует организовать охлаждение для памяти, иначе неизбежно будут ошибки в работе, и не получится достичь максимальных результатов.

Предупреждение 5: Предыдущее предупреждение потерялось, оно  не хотело брать ответственность за свои действия…

Вот и закончились предупреждения, время начать сначала, а именно с момента когда я собственно и пришел к универсальному методу разгона ОЗУ.
Данную предысторию можно пропустить при желании.
В далеком 2016 году у меня появился один интересный модуль, имя его: GeIL 16GB GP416GB2400C16SC (далее сокращенно GEIL), так же была еще Crucial 8GB CT8G4DFD8213, в те времена у меня была система Z170+6700K и опыта в разгоне DDR4 особого не было, мои результаты разгона были 2600 МГц для GEIL и 3100 МГц для Crucial.

Внешний вид GeIL 16GB GP416GB2400C16SC

         
После в 2017 году я перешел на B350+R5 1600 BOX, на первых биосах GEIL отказалась вообще работать, в то время как Crucial легко и просто взяла те же «3100 МГц» (3066 МГц) как и в паре с 6700K, после я прошил последний биос, который был на тот момент, и GEIL без проблем заработала, взяв по частоте 2666 МГц.

Уже в начале 2018 года я смог выжать из GEIL — 2933 МГц, благодаря настройке ODT, для GEIL требовалось ODT на уровне 80 Ом. Crucial даже с ручной настройкой ODT выше «3100 МГц» не получилось разогнать.

Сохранившиеся старые скриншоты GEIL 16GB + Crucial 8GB, 6700K Gammax 300 и R5 1600 BOX.

В том же 2018 году я перешел на 2600X и научился разгонять память по своему, калькуляторы вообще никак не могли помочь с разгоном GEIL, они всегда давали нерабочие параметры, с которыми GEIL не могла работать, советы других людей тоже ничем не помогали в разгоне таймингов (частотный потолок я ведь уже нашел).

Сложность разгона GEIL заключалась в том, что эта память имела 8 двухслойных чипов общим объемом 16GB, и любое ручное отклонение по таймингам от того, что контроллер подобрал на автомате, приводило обычно к нестабильности или вовсе невозможности запустить систему.

Сохранившаяся информация о модуле памяти GeIL 16GB GP416GB2400C16SC

Я обратил внимание на то, что система в автоматическом режиме на разных частотах устанавливает разные вторичные тайминги, и подумал: Почему бы не использовать тайминги от более низкой частоты на более высокой частоте? И мне это удалось.

После я предлагал друзьям и знакомым свой метод разгона памяти попробовать, в целом результаты положительные, если все правильно сделать, особенно если в системе установлена память, которую никто не обозревает, непонятно что за она, и чего ждать от нее (таких комплектующих, увы, большинство на рынке, по которым найти информацию крайне тяжело, либо невозможно по причине «скрытности» производителей некоторых).

Теперь можно перейти к принципу разгона:

Всего 5 этапов, 4 из них обязательны.

1) Поиск максимальной стабильной частоты ОЗУ.

— На данном этапе необходимо подобрать рабочее напряжение, найти максимальную частоту, при которой стабильно работает, ODT установить подходящее.

-RTT сопротивления можно проигнорировать и оставить на авто, мы ведь не собираемся максимум выжимать из памяти, потратив много времени.

— Тайминги на Авто, при необходимости поднять CL выше 16, бывает такое, что система не поднимает сама CL выше 16.

— Этот этап нужен просто для экономии времени в будущем.

2) Откат частоты ОЗУ от максимальной стабильной на 3-4 множителя.

— ODT и напряжение уже установлены, частота максимальная стабильная найдена, допустим, это будет 2933 МГц при 1.35в и 80 Ом ODT.

— Откат делаем, например, до частоты в 2666 МГц при 1.35в и 80 Ом ODT. 

— Если разница частоты слишком большая, например, максимальная стабильная 3333 МГц, а откат нужно делать до 2666 МГц, то возможно потребуется изменить ODT, но это не точно.

— Не забываем делать перезагрузку перед следующим этапом!

3) Зафиксировать тайминги автоматически установленные.

— Мы сделали откат на более низкую частоту, в нашем случае 2666 МГц, теперь самое время записать/сфотографировать все тайминги, получившиеся на данной частоте.

— Устанавливаем все тайминги в биосе, кроме tRFC и таймингов без значения или со значением 0. 

— И еще раз: tRFC и тайминги «без значения» / «установленные в 0» НЕ трогать на данном этапе! Это важно!

— Не забываем делать перезагрузку перед следующим этапом!

4) Поднять частоту ОЗУ обратно вверх.

— Мы установили все тайминги кроме tRFC и «без значения», теперь нам осталось только найти максимальную частоту, при которой все это дело будет работать.

— Первый этап нам сейчас экономит очень много времени, т.к. мы уже знаем максимальную частоту, выше которой не прыгнуть.

— Проверяем стабильность

5) Ужимаем тайминги.

— Проверяем стабильность, по желанию ужимаем tRFC и тайминги уже вручную, для достижения более хороших результатов.

С теорией пожалуй разобрались, теперь начнем практику.

В качестве подопытного будет участвовать система:

CPU: AMD Ryzen 3 1200 @ 3849 MHz, 1.38v
Cooler: Кастомный на основе Titan TTC-NK34TZ/RF(BX), наполовину пассивный режим работы.
RAM: 2 x Samsung M378A1G43TB1-CTD
MB: MSI B450-A Pro Max (MS-7B86)

Дата выпуска модулей памяти: Неделя 47 / 2018 и Неделя 12 / 2019 (покупались в разное время)
Маркировка чипов памяти: SEC 910 K4A4G085WT BCTD

Испытуемые модули памяти без «радиаторов»

Подробная информация о модулях памяти Samsung M378A1G43TB1-CTD
*физически модули памяти установлены в слотах A2 и B2

Внешний вид системы на момент проведения разгона.

С информацией о модулях памяти и системе закончили, теперь поэтапный разгон на практике.
Внимание: т.к. я уже знаю максимальную стабильную частоту ОЗУ при заниженных таймингах, я не буду показывать максимальные частоты, на которых память нестабильно запускалась и работала.
Так же я не буду объяснять про настройку ODT и RTT, т.к. это не входит в рамки данной статьи, но для полноты картины я покажу конкретные значения на фото, конкретно для моей системы, с которыми все работает нормально у меня.

1 Этап:

— Мы нашли максимальную рабочую частоту стабильную, установили ODT для этой частоты, так же установили напряжения подходящие

— Для экономии времени сохраним в профиль разгона параметры, чтобы в случае последующих неудач сэкономить много времени, просто восстановив из профиля настройки.

— Проверяем, что все работает нормально

2 Этап:

— Делаем откат частоты, в моем случае 2866 МГц.

— Все настроенные параметры напряжений и ODT / RTT трогать не надо

3-4 Этап:

— Фиксируем тайминги, которые система автоматически установила для частоты 2866 МГц.

— tRFC и тайминги «без значения» не трогаем!

— Поднимаем частоту вверх, т.к. я уже знаю предел рабочий, я могу поднять частоту сразу до 3333 МГц используя тайминги от 2866 МГц.

— Проверяем стабильность, и если все нормально, то повышаем частоту выше.

— В моем случае разница частоты получается 466 МГц при неизменных таймингах.

— В любом другом случае разница частоты может оказаться другой, в зависимости от возможностей модулей памяти, системной платы и процессора, это нужно проверять индивидуально.

5 Этап:

— Поджимаем первичные тайминги, tRFC и, если позволяют модули памяти, можно поджать субтайминги (модули с двухслойными чипами памяти обычно не позволяют просто так это сделать)

— Проверяем стабильность и, если все нормально, то жмем дальше, либо правим параметры для достижения стабильности.

На этом разгон успешно завершен, никакие калькуляторы использовать не пришлось, и расчеты производить тоже необязательно, потому что мы работаем с параметрами, которые система подготовила сама.

Теперь перейдем к сводке результатов, которые во время разгона были собраны:

Итого мы получаем:

Разница частоты на автоматических таймингах между 2866 МГц и 3333 МГц достигает 16.3%, в то время как пропускная способность по данным AIDA64 поднимается всего лишь на ~6%, не густо как-то…

Но картина полностью меняется, если зафиксировать тайминги на частоте 2866 МГц и поднять частоту до уровня 3333 МГц, в таком случае разница пропускной способности между 2866 АВТО и 3333 с таймингами от 2866 достигает уже ~16%!
Еще больше разница выходит после ручного «дожима» таймингов на последнем этапе, уже целых ~17% разница по отношению к 2866 МГц! И это при разнице частоты в ~16%.

Преимущества данного метода разгона:

1) Не требуется калькулятор с формулами под рукой для расчета таймингов.

2) Отличные результаты, по сравнению с автоматической установкой таймингов контроллером памяти на высоких частотах.

3) Вероятность ошибки минимальна — мы просто используем то, что система сама настроила стабильно.

4) Не нужно прибегать к помощи программ-калькуляторов, которые, как правило, бесполезны во многих случаях и тратят очень много времени, заставляя перебирать скорее всего нерабочие параметры, которые могут не подходить в конкретном случае.

5) Метод работает всегда, разве что требует внимательности, чтобы не допустить ошибку на одном из этапов разгона.

А теперь немного полезной информации:

— ODT для двухранговой памяти обычно выше чем для одноранговой, в моем случае двухранговая память и рабочие значения у меня 60-68.6 Ом, в вашем случае могут быть другие значения в зависимости от системной платы, от модулей ОЗУ, от процессора.
Например, на Gigabyte B450 Aorus M рабочее значение ODT подходило к 50 Ом с этой же памятью… Поэтому не пытайтесь копировать значения ODT и RTT, оно индивидуально в каждом конкретном случае! И на данный момент я не могу ничего посоветовать универсального с настройкой данных параметров.

— Температура: модули памяти могут давать ошибки при сильном нагреве, именно поэтому у меня стоит над видеокартой 12см куллер, он одновременно сгоняет нагретый воздух с зоны врм, и подгоняет  воздух к модулям памяти для охлаждения, так же он в радиатор процессора подгоняет дополнительно воздух.
По факту тройная польза от одного косо-установленного вентилятора на низких оборотах, не говоря уже о том, что он дополнительно обдувает текстолит видеокарты…
Воздушный поток кулера процессора направлен в зону передней панели*

— Чистота и порядок: Иногда мешать разгону могут окисления на контактах ОЗУ, решение проблемы кроется в старом добром ластике…

На этом пожалуй все.

Как изменить частоту оперативной памяти, если ее занижает материнская плата

На компьютере установлена оперативная память, которая по характеристикам должна работать на тактовой частоте 2666 МГц, а материнская плата автоматически снижает ее до 2133. Узнаем подробнее, как изменить частоту оперативной памяти на заявленное в характеристике.

Проверка характеристики материнской платы

При выборе оперативной памяти мы обращаем внимание не только на тип DDR3 или DDR4, но и на тактовую частоту. Как правило, выбираем модули ОЗУ с максимальной частотой при условии, что материнская плата поддерживает эту скорость передачи данных.

Но может случиться так, что при подключении DDR4 2666 МГц может быть понижена до 2133 МГц. Почему так происходит и что нужно делать?

Причиной снижения может быть то, что материнская плата не совместима со столь быстрой оперативной памяти и автоматически снижает до своего оптимального значения.

В этом случае, уже ничего не сделаем – модули ОЗУ будут работать с той скоростью обмена данными, которую максимально поддерживает системная плата. Например, если подключим планки DDR4 2666 МГц, а «плита» поддерживает не более 2133, то частота будет снижена до максимально значения. То есть DDR4 2666 МГц будет работать как DDR4 2133.

Для начала проверьте спецификацию системного устройства в инструкции или на сайте производителя.

Например, у меня системная плата поддерживает DDR4 2666/2400/2133. Но, несмотря на это, при подключении модулей на 2666 снижает скорость обмена до 2400.

Часто так происходит потому, что производителем установлены «безопасные» настройки. Чтобы использовать максимальное значение, установите его самостоятельно.

Изменение частоты оперативной памяти вручную

Если убедились, что устройство поддерживает частоту, совместимую с приобретенной планкой ОЗУ, и, тем не менее, снижает до более низкого значения, то можно ее изменить вручную.

Соответствующие изменения нужно внести в настройках Bios / UEFI.

Если на компьютере установлен Windows 10, удерживая клавишу Shift извлеките меню Пуск, кликните на кнопку «Выключить» и выберите пункт «Перезагрузка».

Появится экран «Выбор действия». Выберите «Поиск и устранение неисправностей – Дополнительные параметры – Параметры загрузки – Параметры встроенного ПО UEFI».

Если эта опция не срабатывает, или система давно не обновлялась, то в Биос можно зайти обычным способом, нажав соответствующую клавишу при загрузке компьютера. При включении компьютера на первом экране отобразится надпись «Press DEL to enter SETUP» или похожая, с указанием клавиши, которую нужно нажать для входа в Биос.

Когда вошли в Bios / UEFI, то найдите пункт «DRAM Frequency» или «Memory Frequency». Он может быть расположен в разных закладках в зависимости от производителя системной платы.

В материнских платах MSI находится в разделе «ОС», у Gigabyte он расположен в настройках M.I.T — Advanced Frequency Settings.

Либо можно просто пересмотреть все доступные закладки, пока не найдете «DRAM Frequency». Когда найдете эту вкладку, то она уже содержит варианты для выбора (например, DDR4-2666, 2400, 2133).

Установите значение, на которой работает оперативная память.

После установки сохраните изменения. Перейдите на главный экран Bios / UEFI, выберите пункт «Save settings and reboot» (Сохранить изменения и перезагрузить). После перезагрузки ОЗУ будет работать на оптимальной скорости.

Источник

Как разогнать оперативную память и зачем это делать

Содержание

Содержание

После установки оперативная память работает на минимальной частоте. Купив планку ОЗУ с тактовой частотой 2400 МГц, можно с удивлением обнаружить, что она функционирует на 1600 МГц.

Зачем добиваться максимальной производительности оперативной памяти

Чем больше МГц, тем выше пропускная способность чтения и записи, больше операций выполняется за одну секунду. Архивация файлов с помощью WinRAR происходит на 40% быстрее. В этом обзоре наглядно показано, как влияет разгон Kingston HyperX FURY на скорость обработки информации.

Чтобы сэкономить себе время на поиски оптимального тайминга, можно воспользоваться программой «Drum Calculator for ryzen». ОЗУ, работающая с минимальным таймингом и максимальной частой, больше нагружает процессор, что отражается на количестве FPS в играх. Пример использования калькулятора и удачного разгона здесь.

А здесь можно посмотреть детальное и полномасштабное тестирование изменения частот и таймингов с приростом 6–14 FPS.

Совместимость

Оперативная память работает на частоте самого медленного модуля. Если установлено несколько планок разных производителей или серий, может возникнуть конфликт совместимости, тогда операционная система не запустится.

Чтобы выжать из железа максимум, надо устанавливать модули памяти из одной серии. В этом обзоре показана разница между двухканальным и одноканальным режимом работы ОЗУ.

В двухканальном режиме необходимо устанавливать планку через один слот. Тут продемонстрирована комплексная работа планок оперативки из одной серии.

Правила разгона

Не все материнские платы поддерживают разгон. Китайские «ноунеймы» в особенности любят блокировать возможность увеличить производительность вручную, оставляя только автоматическое поднятие частот.

Turbo Boost — это всегда разгон в щадящем режиме, протестированный производителем и максимально безопасный. Чтобы получить производительности на 5–10% больше, потребуется поработать ручками. Контроллер памяти процессора не даст разогнать оперативную память выше собственных параметров частоты.

Спасительная кнопка отката

Вывести из строя оперативную память, меняя частоту — невозможно. Со слишком высокими параметрами ПК просто не запустится. Если после нескольких загрузок все еще появляется «синий экран смерти», необходимо сбросить настройки на заводские параметры. Делается это с помощью перемычки «CLR CMOS», на некоторых материнках он подписан, как «JBAT».

Настройка частоты и тайминги памяти

Есть два способа разгона — автоматический и ручной. Первый вариант безопасен, второй позволяет добиться большей производительности, но есть риск сбоя ОС и физического повреждения ОЗУ. Для увеличения частоты оперативной памяти используется BIOS.

Автоматическая настройка

Специальное программное обеспечение «Extreme Memory Profiles» для процессоров Intel позволяет быстро настроить уже готовые профили разгона. У фанатов AMD есть свой софт от MSI. Применяя автоматические настройки, мы получаем оптимальные параметры задержки.

Разгон серверной ОЗУ

Рассмотрим автонастройки частоты на примере материнской платы x79 LGA2011 с процессором Intel Xeon E5-2689. Серверная оперативная память — 2 планки Samsung по 16 Gb с частотой 1333 MHz, работающие в двухканальном режиме, тайминг — 9-9-9-24.

Путь к разгону лежит через BIOS, вкладка «Chipset», раздел «Northbridge» — параметры северного моста.

Выбираем настройку «DDR Speed». Параметр «Auto» меняем на «Force DDDR3 1600». Сохраняем, перезагружаемся. Запускаем тест в программе AIDA 64, выбрав в меню «Сервис» задачу «Тест кэша и памяти», затем жмем «Start Benchmark».

В синтетическом тесте скорость чтения, записи и копирования увеличилась почти на 20%. «Memory Bus» поднялся до 800 MHz, тайминг — 11-11-11-28.

Возвращаемся в BIOS, ставим «Force DDDR3 1866».

При таких настройках прирост производительности достигает 39%. Процессор разогнался автоматически с 2600 MHz до 3292,5 MHz, прирост CPU составил 26%, параметры тайминга — 12-12-12-32.

Разгон с помощью профиля XMP от MSI

В современные планки ОЗУ устанавливается SPD-чип с предустановленными профилями разгона, позволяя увеличивать частоту до 3200 MHz. Для разгона такой оперативки выбираем функцию «XMP» в BIOS.

Опускаемся вниз, не трогая остальные настройки, указываем «Профиль 1». Сохраняем изменения, тестируем в Benchmark.

Ручная настройка

Включаем компьютер. Для перехода в BIOS нажимаем клавишу «F1» или «Delete» — в зависимости от материнки. Переходим в раздел, отвечающий за центральный процессор и оперативную память, ищем строку с параметром частоты ОЗУ.

Если в BIOS есть пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)», нажимаем «Ctrl + F1» в главном меню — должна появиться еще одна категория с настройками. В ней находим строку «System Memory Multiplier».

Если пункта M.I.T. нет, скорей всего, используется «AMI BIOS». Ищем вкладку «Advanced BIOS Features», переходим к параметру «Advanced DRAM Configuration».

Если установлен «UEFI BIOS», нажимаем «F7» — раздел «Advanced Mode», переходим к вкладке «Ai Tweaker», изменяем частоту, используя выпадающее меню «Memory Frequency».

Метод научного тыка

Теперь рассмотрим подробнее, как разогнать частоту, тайминг. Сразу «давить на газ» не стоит, параметр частоты увеличиваем плавно. Для сохранения нажимаем «F10», перезагружаемся и смотрим результаты с помощью теста Benchmark в AIDA 64 или в другой программе. Универсальных параметров разгона ОЗУ нет, данные ниже предоставлены для ориентира.

Параметр «System Memory Multiplier» позволяет разогнать ОЗУ, изменяя множитель. При изменении частоты, автоматически меняются и базовые тайминги.

Поиграв с вариациями частоты, переходим к нижней строчке «DRAM Timing Control», выставляем тайминги, переключившись с режима «Auto» на желаемые параметры.

Управление временем

Высокая частота и низкие тайминги позволяют увеличить производительность, высокие тайминги и высокая частота — снижают ее. Тайминги или задержка — это количество тактовых импульсов для выполнения операций ОЗУ. Уменьшаем значения с минимальным шагом — 0,5. Получив повышение показателей производительности, можно продолжить, снизив время отклика. Подбирать правильные настройки придется методом проб и ошибок.

Повысить производительность оперативки можно, увеличивая напряжение с помощью параметра «Voltage Setting», безопасно 1.2–1.35 В, максимум — 1.6 В. С этим пунктом стоит быть очень острожным, электричество — не игрушки, есть риск спалить ОЗУ и потерять гарантию.

Увеличение частоты оперативной памяти с помощью готовых профилей — самый простой и быстрый способ получить желаемую производительность. Вариант с ручными настройками больше подходит энтузиастам, для которых дополнительный прирост быстродействия на дополнительные 10–15% — дело принципа.

Источник

Настройка оперативной памяти в windows 10

Windows 10 использует не всю оперативную память

Иногда, несмотря на то, что на компьютере установлена 64-х битная версия Windows 10, в системных свойствах не отображается реально имеющийся объем оперативной памяти. Её показатель в некоторых случаях может быть в разы меньше. В нашей статье мы расскажем, из-за чего возникает такая неполадка и что нужно предпринять, чтобы её устранить.

Удаление неиспользуемых программ

Многие изготовители оснащают новые компьютеры программами, которые не нужны пользователям. Это могут быть пробные и ограниченные по времени версии программ, предоставляемые разработчиками в надежде, что пользователи найдут их полезными и приобретут полные или новые версии. Эти программы могут замедлять работу компьютера, поскольку расходуется память, место на диске и ресурсы процессора.

Рекомендуем удалить все программы, которые вы не планируете использовать, в том числе ПО, установленное производителем или даже вами самими, которое вам больше не нужно, особенно служебные программы для администрирования и настройки оборудования и программного обеспечения компьютера. Служебные программы, такие как антивирусные сканеры, средства очистки диска и программы резервного копирования, часто запускаются автоматически при запуске системы и незаметно для вас работают в фоновом режиме. Многие даже не знают, что такие программы запущены.

Даже на старом компьютере могут оказаться установленные изготовителем программы, которые вы никогда не замечали или просто о них забыли. Никогда не поздно удалить все лишнее и освободить ресурсы системы. Возможно, какую-то программу вы планировали использовать, но этого не произошло. Если удалить ее, компьютер сможет работать быстрее.

Файл подкачки в Windows 10: что такое pagefile.sys и swapfile.sys?

В Windows 10, в отличии от более старых версий Windows, используются два файла подкачки: pagefile.sys и swapfile.sys. Они хранятся в корне диске C: и найти их можно, если включить на своем компьютере отображение скрытых и системных файлов.

В файл pagefile.sys при нехватке памяти отправляются обычные приложения, которые вы устанавливаете из разных источников — браузер, графический редактор, мессенджеры и так далее. А в файл swapfile.sys — встроенные приложения Windows 10 и приложения, установленные из Магазина Windows.

Swapfile и Pagefile всегда работают в паре. Объем swapfile.sys не превышает пары десятков мегабайт, а вот pagefile.sys в процессе работы может «раздуваться» до нескольких гигабайт. Из-за этого некоторые ищут способ, как отключить файл подкачки в Windows 10, чтобы освободить место на диске. Но если сделать это, отключится и swapfile.sys — а без него многие встроенные приложения Windows 10 просто перестанут запускаться.

Как узнать работаете ли ваш ПК на пределе возможностей оперативной памяти?

Для этого выведите на Рабочий стол гаджет, отображающий загрузку оперативной памяти и процессора. Для этого проделайте следующее:

1. Наведите указатель мыши на Рабочем столе в свободное место и кликните на правую кнопку мыши. В контекстном меню выберите Гаджеты.

Контекстное меню — Гаджеты

2. В появившемся окне выберите гаджет Индикатор ЦП.

Гаджет Индикатор ЦП

3. Закройте это окно.

На Рабочем столе будет отображен индикатор загрузки центрального процессора и используемый объем оперативной памяти.

Индикатор оперативной памяти

Если этот объем превышает 70-80% то рекомендуется добавить в компьютер оперативной памяти.

Award BIOS

Версия БИОС, которая ещё несколько лет назад устанавливалась на 90% материнских плат десктопных компьютеров. Сейчас такой интерфейс встречается реже, но всё равно остаётся популярным. Процесс его настройки выглядит следующим образом:

Все изменения рекомендуется вносить постепенно, в пределах 5%. Общее увеличение не должно быть больше 15%. После перезагрузки следует проверить показатели и работоспособность оперативной памяти, применяя специальный софт – например, AIDA64 или MemTest86.

Как изменить тайминги оперативной памяти в БИОСе

Тайминги обозначают количество тактовых импульсов, которые нужны оперативке, чтобы выполнить определенную операцию. Чем ниже тайминг, тем производительнее ОЗУ, поэтому изменение таймингов — процедура полезная.

Но проводить подобные операции интуитивно — опасная затея, ведь так можно вывести ОЗУ из строя, и реанимировать модули, скорее всего, уже не удастся. Поэтому необходимо предварительно протестировать комплектующие базовыми инструментами Windows. Если оператива работает нормально, можно настраивать тайминги. Затем в Виндовс можно проверить, успешно ли прошла настройка.

Рекомендуется выполнять подобные операции именно через BIOS: в случае сбоя пользователь сможет быстренько откатить параметры до заводских.

Какой объем RAM вам нужен для работы Windows 10

Сколько оперативной памяти вам нужно на компьютере, во многом зависит от рода вашего занятия и от того как долго вы собираетесь пользоваться данным устройством. Если вы думаете о приобретении нового ПК в ближайшем будущем, то лучше всего подождать. Если у вас есть любимый компьютер, но нужно переключиться на другую задачу, требующую повышения производительности, обновление RAM является отличной идеей.

Для домашней версии Windows 10 Microsoft установила придел ОЗУ в 128 Гб, для профессиональной – 512 Гб.
Если вы используете компьютер для обработки текстов, проверки электронной почты, работы в Интернете и игры в пасьянс, у вас не должно возникнуть проблем с оперативкой в 4 ГБ. Но если вы выполняете все эти действия одновременно, вы можете столкнуться с падением производительности.

Многие бюджетные ПК в качестве базовой опции имеют 4 ГБ ОЗУ, но если вы не планируете расставаться со своим компьютером в течение нескольких лет, безопаснее будет увеличить оперативную память до 8 ГБ, даже если вы используете устройство только для легких задач.

Геймерам, например, нужно быть уверенными в своем компьютере, знать, что игра не зависнет в самый ответственный момент. Для этого необходимо установить минимум 16 ГБ, а если бюджет позволяет, то лучше увеличить оперативку до 32 ГБ. Впрочем, такие популярные киберспортивные игры, как DOTA 2, CS: GO и League of Legends, обходятся и 4 ГБ памяти, но для Fallout 4, Witcher 3 и DOOM потребуется по крайней мере 8 ГБ. Игры с использованием виртуальной реальности (VR), такие, как HTC Vive, Oculus Rift и Windows Mixed Reality (WMR), для бесперебойной работы требуют минимум 8 ГБ ОЗУ.

Если вы в основном занимаетесь редактированием HD-видео, установите как минимум 16 ГБ, для работы с фотографиями должно хватить и 8 ГБ ОЗУ. Не стоит экономить на объеме оперативки, если ваша работа связана с редактированием приложений.

Скорость RAM — еще одно понятие, с которым вам стоит ознакомиться. Она отвечает за быстроту выполняться команд, перенаправляемых на процессор. В зависимости от частоты существуют три типа оперативной памяти — DDR, DDR 2 и DDR 3. Устройство с ОЗУ DDR 3 будет работать намного быстрее, хотя в большинстве ПК стоят модули памяти типа DDR.
Если вы хотите увеличить оперативную память на своем компьютере, нужно для начала выяснить ее объем на данный момент, а также какой тип RAM совместим в вашим устройством.

5 способов, как высвободить ОЗУ в Windows 10

Если вы все еще испытываете проблемы с чрезмерным использованием оперативной памяти, то, возможно, у вас слишком много лишних программ и приложений, о которых вы даже не знаете. Попробуйте пять способов ниже, чтобы высвободить оперативную память на компьютере с Windows 10.

1. Проверьте память и очистите процессы

Чтобы проверить память вашего компьютера, выполните следующие действия:

1. Нажмите на клавиатуре одновременно клавиши Ctrl+Alt+Del и выберите Диспетчер задач.

2. Выберите закладку «Процессы».

3. Нажмите на названии столбца «Память», чтобы отсортировать процессы по объему используемой памяти.

Теперь вы можете видеть, какие из ваших программ требуют больше всего памяти на вашем компьютере. Если вы обнаружите какой-то подозрительный процесс, который «пожирает» много вашей памяти, вы можете остановить его, а также удалить соответствующие программы, которые вам не нужны или не используются. Но! Если вы не чувствуете себя уверенным в данном вопросе, то лучше обратиться к специалистам.

2. Отключить из автозагрузки те программы, которые вам не нужны

Если вы используете свой компьютер в течение нескольких лет, то вы, вероятно, скачали изрядное количество программ, про которые вы либо забыли, либо больше не используете их. После того, как закладка «Процессы» покажет вам, какие программы потребляют вашу память, то, возможно, вы захотите перейти к настройкам автозагрузки, чтобы удалить из нее те программы, которые вам больше не нужны.

Чтобы отключить автозагрузку программ, выполните следующие действия:

1. Выберите закладку «Автозагрузка» в Диспетчере задач.

2. Нажмите «Влияние на запуск», чтобы отсортировать программы по степени использования.

3. Нажмите правой кнопкой мыши, чтобы отключить любые ненужные вам программы.

Автозагружаемые программы – это те программы, которые активируются при загрузке вашего компьютера. Когда эти программы запускаются, каждая из них в фоновом режиме без вашего согласия потребляет определенный объем оперативной памяти. И хотя этот объем может быть не очень большой, но суммарно с другими программами и со временем это значение может возрасти. Убедитесь, что автозапуск всех ненужных программ отключен или такие программы вовсе удалены.

3. Остановите работу фоновых приложений

Чтобы остановить фоновые приложения:

1. Перейдите к настройкам компьютера.

2. Нажмите на раздел «Конфиденциальность».

3. Прокрутите вниз панель слева до «Фоновые приложения»

4. Отключите все приложения, которые вы не используете.

Часто приложения автоматически настроены для работы в фоновом режиме на вашем устройстве. Это позволяет им автоматически отображать уведомления и обновлять свое программное обеспечение. Отключив фоновой режим работы у приложений, которые вы не используете, вы можете сэкономить оперативную память.

4. Очищайте файл подкачки при завершении работы

Когда вы перезагружаете компьютер, ваши файлы подкачки не очищаются и не сбрасываются, потому что, в отличие от оперативной памяти, они хранятся на жестком диске. Таким образом, когда оперативная память получает сохраненные с различных страниц сайтов файлы, они не очищаются автоматически при выключении компьютера.

Очистка файлов подкачки на вашем жестком диске очистит все, что сохранила на жесткий диск ваша оперативная память, и поможет сохранить высокую производительность вашего компьютера. Вы можете настроить работу компьютера так, чтобы файлы подкачки удалялись автоматически при выключении компьютера, подобно ситуации с оперативной памяти. Это можно сделать в Редакторе Реестре:

1. Наберите «Редактор реестра» в строке поиска в стартовом меню

2. Нажмите кнопку «Да», чтобы разрешить Редактору Реестра внести изменения на вашем устройстве.

3. Слева прокрутите и выберите «HKEY_LOCAL_MACHINE»

4. Прокрутите ниже и выберите «SYSTEM»

5. Затем выберите «CurrentControlSet»

6. Найдите и выберите «Control»

7. Прокрутите и выберите «Session Manager»

8. Найдите и выберите «Memory Management»

9. Выберите «ClearPageFileAtShutdown»

10. Введите число «1» в качестве значения и нажмите OK.

5. Уберите визуальные эффекты

Чтобы получить доступ к визуальным эффектам на вашем компьютере, выполните следующие действия:

1. Откройте Проводник.

2. В панели слева нажмите правой кнопкой мыши на «Этот компьютер», чтобы выбрать свойства.

3. Нажмите слева «Дополнительные параметры системы»

4. Выберите закладку «Дополнительно».

5. Перейдите к настройкам в разделе «Быстродействие»

6. Измените на «Обеспечить наилучшее быстродействие»

Данный параметр отключит все анимированные функции на вашем компьютере. Это позволит вам выделить больше оперативной памяти, но значительно ограничит эстетику вашего компьютера. Но на той же вкладке вы всегда можете настроить, какие визуальные эффекты ваш компьютер будет выполнять в соответствии с вашими предпочтениями.

Решение некоторых проблем

В процессе конфигурирования ОЗУ в Виндовс 10 пользователь может столкнуться с теми или иными проблемами.

Система использует не всю RAM

Иногда ОС определяет не весь объём оперативной памяти. Данная проблема возникает по множеству причин, для каждой из которых доступно одно решение или даже несколько.

Появляется «синий экран» с текстом MEMORY_MANAGEMENT

После настройки ОЗУ можно столкнуться с BSOD, на котором сообщается об ошибке MEMORY_MANAGEMENT. Она говорит в том числе о проблемах с «оперативкой».

Таким образом, мы ознакомили вас с принципами настройки оперативной памяти на компьютере под управлением Windows 10, а также указали методы решения возможных проблем. Как видим, непосредственно настройка RAM возможна только через БИОС, тогда как со стороны операционной системы можно сконфигурировать только программное взаимодействие.

Настройка и оптимизация оперативной памяти в Windows 10

Настройка и оптимизация оперативной памяти в операционной системе Windows 10 позволяет при необходимости несколько ускорить работу компьютера.

Во время работы операционная система постоянно использует оперативную память.

Содержание:

Память требуется для работы различных приложений, служб и иных компонентов компьютере.

Иногда оперативной памяти требуется так много, что это может замедлять работу операционной системы.

В этом случае возникает необходимость настройки и оптимизации работы оперативной памяти. Как выполнить проверку оперативной памяти в Windows 7, описано здесь.

Для этого существуют способы, помогающие операционной системе справиться с этой задачей.

Очистка кэша оперативной памяти

В оперативную память постоянно загружаются данные приложений. Это несомненно ускоряет выполнение операций и их работу в целом.

Устаревшая информация, как правило, перезаписывается в автоматическом режиме. Но так происходит по всей вероятности не всегда, что влияет на загрузку памяти и на ее производительность.

Поэтому рекомендуется через некоторое время самостоятельно очищать кэш памяти.

Сделать это можно через простую перезагрузку компьютера. В результате, модули памяти на какое-то время обесточиваются, и кэш оперативной памяти удаляется.

Обновляем драйвера комплектующих

Оптимизация оперативной памяти предусматривает еще один способ, это своевременное обновление драйверов компонентов ПК.

Это даёт возможность избавиться от возможных конфликтов несовместимости программ или отсутствия каких-то нужных файлов.

С помощью стандартных средств ОС или применяя сторонний софт, можно выполнить проверку и своевременно обновить драйверы.

Системные обновления

На загрузку оперативной памяти различными службами, процессами и на её быстродействие несомненно напрямую влияют своевременные системные обновления.

Открываем Пуск, переходим в Параметры. Ищем Обновление и безопасность.

В разделе Центр обновления Windows запускаем проверку наличия обновлений. Если такие находятся, инсталлируем их.

Проверяем систему на вирусы

Наличие вирусов на компьютере является одной из частых причин снижения производительности операционной системы.

Иногда вирусные файлы действуют под именем различных процессов в фоновом режиме, загружая оперативную память.

Поэтому необходимо регулярно проверять систему антивирусным софтом.

Отключение приложений в автозагрузке

Приложения, находящиеся в автозагрузке занимают оперативную память, однако некоторые из них не требуются при запуске ни пользователю, ни системе:

Отключаем фоновые приложения

Иногда системные приложения или скаченные из Microsoft Store после закрытия действуют в фоновом режиме. То есть, не выгружаются полностью из ОЗУ. Такие программы тоже влияют на оперативную память.

Отключить их через Автозагрузку не получится. Поэтому придется прибегнуть к другим действиям:

Оптимизация оперативной памяти путем отключения индексации поиска

При комплексной оптимизации оперативной памяти можно отключить индексацию поиска:

Таким образом, поиск в системе будет работать медленно и невозможно будет найти файл по названию. В то же время нагрузка на комплектующие уменьшится и разгрузится оперативная память.

Настраиваем план электропитания

Через Параметры открываем раздел Система.

На левой панели переходим в Питание и спящий режим.

Внизу нажимаем на Дополнительные параметры питания.

В разделе Выбор и настройка схемы управления питанием находим — Высокая производительность. Компьютер перезагружаем.

Проверяем системные компоненты

Если случится, что будет нарушена целостность системных файлов, например, в результате работы вируса, то это также приведет к замедлению работы компьютера. Из-за этого появятся системные сбои, которые отразятся на работе оперативной памяти.

Чтобы поправить положение, рекомендуется задействовать системные утилиты SFC и DISM. Эти две утилиты предназначены для проверки целостности именно системных файлов, а также для их восстановления в случае повреждения.

Итак, в статье рассмотрены основные вопросы по оптимизации оперативной памяти в ОС Windows 10. Можно применить их все вместе или по отдельности, в зависимости от личных предпочтений пользователя.

Оптимизация оперативной памяти Windows 10 — способы ускорить работу

Службы и программы, запущенные на компе, расходуют определённый объём оперативной памяти. Количества оперативки, которое останется, может не хватить на реализацию более сложных задач, например, на прохождение игр. В данной статье представлены основные нюансы настройки ОЗУ на операционной системе виндовс десять.

Что такое оптимизация оперативки в виндовс 10

Данный процесс представляет собой высвобождение некоторого количества ОЗУ в целях увеличения её общего объёма и для равномерного распределения нагрузки и ускорения работы стационарного компьютера или ноутбука. Часть оперативной памяти, которую удалось высвободить, может использоваться для решения других задач.

Внешний вид ОЗУ для ПК

Увеличивать оперативку можно в минимально короткие сроки с помощью специализированного софта, скачанного из Сети. Такие программы называются оптимизаторами. Их также используют по отношению к жёстким дискам.

К сведению! Недостаток памяти приводит к тому, что система может долго грузиться.

Как увеличить, оптимизировать ОЗУ стандартными методами

Существует несколько распространённых методов осуществления поставленной задачи, реализовать которые сможет любой пользователь стационарного компьютера или ноутбука. При этом можно будет уменьшить общий объём потребляемой ОЗУ. О таких способах речь далее.

Отключение ненужных служб и процессов

Решить данную задачу можно в следующей последовательности:

Окно диспетчера задач виндовс 10

Обратите внимание! Некоторые службы не рекомендуется отключать во избежание проблем в работе операционной системы, удаления драйверов. Отключение служб также можно выполнить и через реестр.

Использование программ для очистки ОЗУ

Утилиты и приложения с подобным назначением можно скачать из Интернета. При этом софт важно скачивать с официальных сайтов во избежание вирусного заражения компьютера.

В большинстве случаев программы для очистки памяти начинают работать после того, как пользователь нажимает на кнопочку «Старт» или «Оптимизировать». По окончании оптимизации, которая обычно длится на протяжении нескольких секунд, в главном окне приложения появляется подробная статистика о проделанных действиях.

Кэширование оперативки в Windows 10

Один из методов повышения производительности компьютера, скорости его работы посредством разгрузки ОЗУ. Данный способ для полного понимания необходимо подробно рассмотреть.

Что такое кэшированная память в Windows 10

Кэширование представляет собой распределение процессов, на которые расходуется оперативная память, в правильной последовательности. Такое перераспределение позволяет высвободить некоторую оставшуюся часть оперативки и направить её на выполнение более тяжёлых задач.

После кэширования компьютер начинает меньше потреблять ОЗУ, загрузка процессов уменьшается, но при этом скорость его работы может снизиться. Данное обстоятельство связано с неравномерностью распределения каждого процесса.

Обратите внимание! Опытные специалисты рекомендуют регулярно чистить системный кэш. Распределить память можно через окно «Выполнить».

Окно «Выполнить» на Windows 10

Как выполняется оптимизация оперативной памяти Windows 10 через утилиту EmptyStandbylist

Этот процесс осуществляется в следующей последовательности:

Как можно ускорять работу ПК с помощью приложения Intelligent Standby List Cleaner

Очередной софт для выполнения поставленной задачи, который можно найти на просторах Интернета и бесплатно скачать. Принцип очистки оперативной памяти на его основе выглядит следующим образом:

К сведению! Ограничить потребление оперативки можно и в других приложениях с подобным назначением.

Как ускорить оперативную память на ПК с Windows 10

Существует несколько методов, с помощью которых пользователь компьютера сможет самостоятельно повысить частоту работы ОЗУ, тем самым улучшив работу своего устройства.

Интерфейс приложения Intelligent Standby List Cleaner

Как убедиться, что ОЗУ работает в двухканальном режиме

Двухканальный режим — это особенность материнской платы, которую можно встроить в ПК. Данный режим подразумевает установку планок оперативной памяти (если их две) в два слота, одинаковых по цвету. Остальные слоты останутся не задействованы. Подобная установка позволяет выставить в BIOS ПК максимальную скорость работы планок, что полностью раскрывает потенциал ОЗУ. Четырёхканальный режим активируется аналогичным образом. Это не виртуальный процесс.

Обратите внимание! Чтобы проверить, в каком режиме работает оперативка, пользователю потребуется снять боковую крышку ПК и посмотреть, в какие слота на МП установлены планки памяти.

Как проверить частоту работы оперативки и правильно настраивать XMP профиль

Для выполнения поставленной задачи пользователю потребуется сделать несколько простых шагов:

Обратите внимание! Вариантов XMP профиля может быть несколько. Здесь надо пробовать каждый и смотреть на изменение частоты. В русскоязычных БИОС варианты обычно называются «Профиль1», «Профиль 2» и т. д.

Настройка XMP профиля в БИОС

Как настроить потребление оперативной памяти в Windows 10 с помощью сторонних утилит

В специализированных приложениях пользователь может выставить ограничение по памяти в настройках. Т. е. задать максимальный объём ОЗУ в мегабайтах, который будет тратиться на работу того или иного процесса. При этом в скобках обычно указывается максимальный объём памяти, который может потратить система на данный процесс. После проведения таких манипуляций память Windows 10 загружена на 50 процентов и более не будет.

Использование браузеров с лимитом потребляемой памяти

Как правило, браузеры также расходуют немало ОЗУ, особенно когда запущено большое количество вкладок. Снизить расход оперативки можно, закрыв ненужные сайты, тем самым минимизировав число вкладок.

Другой способ снизить потребление оперативной памяти при использовании браузера — выставить лимит в его настройках. Обычно пользователь прописывает в соответствующей строке наибольшее значение расходуемой оперативки, которое не может быть превышено.

К сведению! При этом открывать много вкладок не получится. Браузер автоматически выставит на это запрет.

Таким образом, важно следить за количеством потребляемой ОЗУ при использовании компьютера и наладить постоянный процесс её оптимизации для повышения скорости работы ПК. Информация, представленная в данной статье, позволит каждому разобраться, как оптимизировать оперативную память Windows 10, чтобы его ПК или ноутбук работал шустрее.

Как настроить виртуальную память на Windows 10

Оперативная память – это быстрая энергозависимая память, которая используется для временного хранения данных, к которым должен быть быстрый доступ. Эта память является достаточно дорогостоящей и ее объем всегда сильно ограничен. Для решения этой проблемы применяют так называемую виртуальную память. Сейчас вы узнаете, что такое виртуальная память и как ее настроить на Windows 10.

Что такое виртуальная память в Windows 10

Виртуальная память – это способ работы с памятью, который позволяет запускать программы даже при нехватке оперативной памяти. Это достигается за счет перемещения данных из оперативной памяти в расположенный на жестком диске файл подкачки. Такой перенос никак не влияет на роботу уже запущенных или запускаемых программ и не приводит к возникновению ошибок. Для реализации такого способа работы с памятью он должен поддерживаться на аппаратном уровне.

На данный момент виртуальная память поддерживается большинством актуальных процессоров и операционных систем, в том числе и операционной системой Windows 10. По умолчанию в операционных системах Windows файлом подкачки, который используется для расширения оперативной памяти, является скрытый системный файл Pagefile.sys (файл подкачки), расположенный на системном диске. Используя доступные в Windows настройки, пользователь может менять расположение и размер данного файла. Более того, его можно даже полностью удалить, в этом случае операционная система будет работать исключительно с использованием оперативной памяти.

Как получить доступ к настройкам виртуальной памяти на Windows 10

Операционная система Windows 10 предоставляет достаточно широкие возможности по настройке виртуальной памяти. Для доступа к этим настройкам вам нужно открыть окно «Просмотр основных сведений о вашем компьютере». В Windows 10 для этого можно нажать комбинацию клавиш Win-i или выполнить команду « control /name microsoft.system ».

В открывшемся окне нужно кликнуть по ссылке «Дополнительные параметры системы», которая находится в левой части окна.

В результате появится окно «Свойства системы». Здесь нужно перейти на вкладку «Дополнительно» и нажать там на кнопку «Параметры», которая находится в блоке «Быстродействие».

После этого появится окно «Параметры быстродействия». Здесь снова нужно перейти на вкладку «Дополнительно» и нажать на кнопку «Изменить», которая будет находиться в блоке «Виртуальная память».

В результате перед вами появится окно, в котором можно будет настроить виртуальную память на Windows 10.

Настройка виртуальной памяти на Windows 10

Если вы сделали все вышеописанное, то перед вами должно быть окно «Виртуальная память». По умолчанию, в этом окне включена опция «Автоматически выбирать объем файла подкачки». Эта опция поручает Windows 10 самостоятельно выбирать объем виртуальной памяти в зависимости от объема оперативной памяти и других параметров. Если вы хотите самостоятельно настроить виртуальную память, то эту опцию нужно выключить.

После выключения автоматической настройки виртуальной памяти вы получите доступ к ручным настройкам. Здесь в верхней части окна находится список дисков, доступных в системе. При желании вы можете перенести файл подкачки на любой их этих дисков. Чуть ниже доступно три опции:

Каждая из этих опций применяется к выбранному в данный момент диску. Это позволяет задавать разные значения для разных дисков. Например, для диска C вы можете выбрать вариант «Без файла подкачки», а для диска D выбрать вариант «Указать размер» или «Размер по выбору системы». В результате файл подкачки удалится из диска C и появится на диске D, таким образом вы перенесете файл подкачки на другой диск.

Опция «Указать размер» позволяет задать исходный и максимальный размер файла подкачки (в мегабайтах). Эти два значения определяют в каких рамках будет изменяться размер файла подкачки. Если задать одинаковые значения, то размер файла подкачки будет всегда одинаковым.

Для сохранения выбранных настроек виртуальной памяти нужно нажать на кнопку «Задать», после чего закрыть всего открытые окна нажатием на кнопку «ОК». Также для применения настроек виртуальной памяти Windows 10 нужно перезагрузить компьютер.

В заключении приведем несколько рекомендаций по настройке виртуальной памяти:

Как очистить ОЗУ на компьютере Windows 10?

Как очистить кэш оперативной памяти Windows 10?

Очистку кэша ОЗУ можно произвести и системными средствами, с помощью одной из системных утилит.

Как увеличить оперативную память в Windows 10?

Как увеличить файл подкачки в Windows 10?

Что то жрет оперативную память Windows 10?

Windows 10 потребляет около 300 мегабайт оперативной памяти, однако с запущенными сервисами телеметрии потребление RAM вырастает в несколько раз — примерно до 2 гигабайт. … Все последние версии Windows (7, 8 и 10) используют сервисы телеметрии для отслеживания и изучения действий пользователя.

Как правильно чистить контакты оперативной памяти?

Контакты хорошо чистить ластиком. Купить его можно в любом канцелярском магазине. Кладем планку памяти на ровную поверхность и движением ластика протираем контакты.

Как очистить кэш в оперативной памяти?

Если вы хотите полностью очистить эту историю, выполните простые действия:

Что такое Кэшированная память?

Что такое кэш в телефоне (кэшированные данные)? Кэш — это промежуточной буфер с быстрым доступом, содержащий информацию, которая может быть запрошена. При этом доступ к кэшу осуществляется намного быстрее, нежели выборка необходимых данных из памяти или удаленного источника.

Сколько ставить файл подкачки на 4 ГБ Озу?

Если брать усредненные цифры размера файла подкачки для компьютеров, можно назвать следующие значения:

Сколько ставить файл подкачки 8 Гб оперативной памяти?

Минимальное значение должно быть в полтора раза больше, чем оперативной памяти в компьютере. Другими словами, если ОЗУ 8 ГБ, то файл подкачки должен иметь минимум 12 гигабайт. Если оперативной памяти больше 8 гигабайт, то выбор размера файла подкачки должен осуществляться только если на это есть реальная необходимость.

Сколько нужно оперативной памяти для Windows 10?

Компания Microsoft в официальных спецификациях ОС Windows указывает минимальные требования по оперативной памяти. Для Windows 7 и 8 они составляют 1 ГБ, для 10 – 2 ГБ. Но это минимально допустимые параметры для нормальной работы системы.

Как уменьшить потребление оперативной памяти Google Chrome?

Также в целях увеличения быстродействия Chrome вы также можете воспользоваться расширениями для управления вкладками. Еще один способ снизить потребление памяти — отключить ресурсоемкие расширения или настроить так, чтобы эти расширения активировались при посещении определенного сайта.7 мая 2019 г.

Сколько оперативной памяти поддерживает Windows 10 64 bit?

32-битные редакции Windows 10 поддерживают стандартный максимум оперативной памяти 4 Гб. 64-битные редакции Pro, Enterprise и Education – максимум 2 Тб. Редакция Home ограничена 128 Гб.

Как убрать окислы на контактах?

Итак, самый простой способ – это использовать спирт, чтобы почистить контакты. Если контакт сильно окислился, обработайте его напильником. Чтобы почистить контакты, после зачистки их нужно хорошо протереть спиртом. Для этого можно использовать мягкую чистую ткань, смоченную в спирте.

Источник

Одной из ключевых характеристик оперативной памяти является тактовая частота. Под разгоном подразумевается принудительное повышение ее значения. Функционирование памяти на более высокой частоте увеличивает вероятность непредвиденных сбоев или неисправностей, поэтому данный вопрос требует детального рассмотрения. Инструкция проверка микро.

Зачем разгонять оперативную память

Значение имеет не только объем установленной на машине пользователя оперативной памяти, но и ее быстродействие. Увлечение частоты оперативной памяти позволяет улучшить ее производительность. Чем выше этот показатель, тем больше объем данных обрабатывается в единицу времени. Это сказывается и на общей производительности компьютера.

Грамотно выполненный разгон дает пользователю следующие преимущества:

• требуется меньше времени для полной загрузки операционной системы;
• возрастает скорость работы инсталлированных в систему приложений (по результатам тестов архивирование файлов архиватором WinRAR ускоряется до 40%);
• увеличивается производительность требовательных к ресурсам игр за счет улучшения показателя частоты кадров (FPS).

Как узнать тайминги оперативной памяти

На производительность модулей памяти влияет не только частота, но и тайминги. Многие пользователи при выборе ОЗУ игнорируют этот параметр, а напрасно. От значений таймингов также зависит, насколько стабильно будет функционировать система. Считается, что чем выше их значения, тем меньше вероятность сбоя, но при этом снижается и быстродействие.

Тайминги – это задержки времени, которые отмечаются между передачей определенной команды шины памяти и ее фактическим выполнением. Проще говоря, данная характеристика показывает, с какой скоростью передаются данные внутри модуля оперативной памяти.

Тайминги обычно указаны на наклейке на планке оперативной памяти в виде последовательности из 4 чисел, разделенных дефисом.  Они отображают следующие значения по порядку:

1. CL (CAS Latency) – сколько времени прошло от передачи запроса к памяти, до того как она начала его обрабатывать;
2. tRCD (RAS to CAS Delay) – продолжительность периода активации ряда (RAS) и колонки (CAS) в матрице хранения данных;
3. tRP (RAS Precharge) – временной отрезок, начинающийся с команды деактивации одной строки и завершающийся активацией другой;
4. tRAS (Active to Precharge Delay) – число циклов, которые нужно ждать перед тем, как следующий запрос к памяти может быть инициализирован.
5. CR или CMD (Command Rate) – сколько циклов проходит от включения чипа памяти до того, как он сможет принимать команды. Часто его не указывают, и он равен 1 или 2 циклам (1T и 2Т соответственно).

Чтобы узнать значения таймингов, вовсе не понадобится снимать боковую панель с корпуса ПК или разбирать ноутбук. Необходимые сведения можно посмотреть, воспользовавшись одной из утилит для считывания информации об установленных в системе комплектующих. Для этой цели подойдет бесплатная программа CPU-Z. Для получения нужной информации достаточно перейти на вкладку «Memory» и ознакомиться с содержанием раздела «Timings».

Подготовка к разгону ОЗУ

Для пользователя разгон оперативной памяти выглядит более сложной процедурой, чем разгон центрального процессора или графического адаптера. Ведь поднять одну частоту чаще всего бывает недостаточно, приходится настраивать и другие параметры. Важно уметь заранее предвидеть возможные последствия изменения настроек, установленных производителем комплектующих по умолчанию.

Что нужно знать перед разгоном оперативной памяти

Если в системе установлено больше одной планки «оперативки», следует убедиться, что все они одинаковой модели (в любом случае они должны обладать одними и теми же техническими характеристиками и поддерживать разгон).

Если окажется, что модули разные, система будет функционировать на частоте самого медленного из них.

Также стоит отметить, что при поддержке контроллерами работы в двухканальном режиме (он используется для повышения пропускной способности) планки памяти необходимо ставить не подряд друг за другом, а через один слот (если они используются не все).

Информацию об установленных на компьютере модулях ОЗУ можно получить с помощью программы AIDA64. Для этого в меню в левой части ее окна нужно щелчком по треугольнику слева от строки развернуть список «Системная плата» и кликнуть по компоненту «SPD». В правой секции окна вверху появится список обнаруженных в системе модулей памяти, а внизу – параметры и технические характеристики модуля, выбранного левой кнопкой мыши из этого списка.

Перед тем, как приступать к разгону, следует тщательно взвесить все связанные с ним риски. Пользователь должен отдавать себе отчет в том, что:

1. Изменение технических параметров работы модулей оперативной памяти способствует уменьшению срока их службы. И чем больше удалось поднять производительность, тем меньше устройство прослужит.
2. Если ОЗУ работает на частоте, превышающей заявленное производителем значение, это приводит к повышению тепловыделения. Возможно, для отвода излишнего тепла в корпус устройства потребуется поставить дополнительный вентилятор или же заменить имеющийся на более подходящий. Отметим, что ряд моделей памяти, пригодных для разгона, оснащены радиаторами, что помогает избежать их перегрева.
3. Может оказаться, что при выполнении разгона будут выставлены значения, с которыми материнская плата работать не сможет. Тогда запуск операционной системы произвести не удастся. Но и опасаться того, что комплектующие тут же сгорят, тоже не стоит. О том, как исправить описанную ситуацию, будет сказано ниже.
4. В результате разгона энергопотребление системы немного возрастет.
5. В случае разгона до значений, не предусмотренных производителем, пользователь скорее всего лишится гарантии на модули ОЗУ.

Технология XMP

Разработанная корпорацией Intel технология XMP предоставляет пользователю возможность увеличить частоту ОЗУ до значений, которые не были предусмотрены производителем оборудования. По сути, XMP является дополнительным профилем JEDEC, который представляет собой включенный в BIOS список допустимых частот и таймингов.

С помощью профиля XMP оперативную память можно разогнать до экстремальных показателей. Но такие значения могут быть далеки от параметров, на которые опирались разработчики чипсета. Тогда в результате неудачного разгона станет невозможно выполнить загрузку компьютера или станут происходить многочисленные сбои во время его работы.

Как определить идеальные тайминги для ОЗУ

Для определения самых подходящих значений таймингов, которые следует выставить при разгоне ОЗУ, удобно использовать приложение Ryzen DRAM Calculator, предлагаемое компанией AMD. Обладателям процессоров AMD Ryzen данная программа позволит также упростить процедуру разгона «оперативки». При его использовании вам не понадобится выполнять вручную проверку тактовых частот на совместимость с вашей системой.

Если же в вашем компьютере используется процессор Intel, Ryzen DRAM Calculator все равно поможет в подборе таймингов. Эффективность выбранных настроек можно оценить при помощи внедренного в приложение тестера памяти.

Для подбора самых подходящих для конкретной системы таймингов нужно выполнить такую последовательность шагов:

1. В окне приложения выбрать процессор, используемый вашей системой, и указать тип памяти. Пользователям, на машине которых установлен процессор Intel, в строке «Processor» следует указать «Ryzen 2 Gen».
2. Кликнуть по кнопке «R-XMP» внизу окна программы (она окрашена в фиолетовый цвет). Это позволит произвести загрузку профиля XMP для установленной в системе оперативной памяти.
3. Щелкнуть мышью по зеленой кнопке «Calculate SAFE», активирующей команду расчета таймингов.

Следует подчеркнуть, что настройки, имеющие параметр «SAFE», срабатывают почти во всех случаях. Если же загрузить параметры, которые можно получить нажатием на кнопку «Calcalate FAST», для их использования придется повышать напряжение. Ну а для таймингов, соответствующих режиму «EXTREME», потребуется установить предельно возможные значения всех параметров. В таком случае рассчитывать на стабильность системы не приходится.

Разгон оперативной памяти с помощью BIOS/UEFI

Прежде чем приступать к детальному рассмотрению процедуры разгона, подчеркнем, что менять параметры надо постепенно. Если мы резко увеличим частоту и понизим значения таймингов, велика вероятность того, загрузить компьютер не удастся, а решение этой проблемы потребует от нас дополнительных усилий.

В общем виде схема разгона выглядит так:

1. Выключаем компьютер или выполняем его перезагрузку.
2. Снова включаем компьютер и загружаем BIOS (либо UEFI на новых моделях системных плат). С помощью какой клавиши или клавиатурной комбинации это сделать, можно найти в руководстве материнской платы или на сайте ее производителя. Весьма распространены такие комбинации, как «Del», «F1», «F2», «Ctrl-Alt-Esc».
3. Находим раздел, отвечающий за настройки оперативной памяти. Где он располагается, зависит от типа BIOS. Названия этого раздела у разных моделей могут отличаться. Например, у русифицированного UEFI материнской платы GIGABYTE нужные параметры находятся на вкладке M.I.T. в разделе «Расширенные настройки частот». Здесь можно выставить нужное значение множителя памяти. Для того, чтобы отрегулировать тайминги и поменять напряжение, понадобится зайти в раздел «Расширенные настройки памяти».
4. Выполняем загрузку своего профиля XMP (подробная инфорация об этом приводится в разделе «Подготовка к разгону ОЗУ»). Это позволит установить частоту на допустимую величину. Увеличиваем только частоту, с таймингами пока лучше не экспериментировать.
5. Сохраняем новые параметры и перезапускаем машину. В большинстве систем для применения внесенных изменений используется клавиша «F10».
6. Проверяем, насколько стабильно работает компьютер после разгона.
7. Если никаких сбоев не выявлено, можно попробовать еще увеличить частоту.
8. После того, как подобрана максимальная частота, на которой компьютер работает без сбоев, можно попытаться изменить тайминги.
9. Наконец, следует отрегулировать напряжение. Но его значение не должно превышать 1,450 V.

После каждого изменения следует проверять систему на работоспособность и стабильность.

Если компьютер перестал включаться

Даже при грамотном выполнении разгона ОЗУ нельзя исключать ситуацию, при которой компьютер отказывается загружаться. Если возникла такая проблема, прежде всего надо проверить, идет ли загрузка в безопасном режиме.

Компьютер загружается в безопасном режиме – повышаем напряжение

Если в безопасном режиме операционная система все же загрузилась, можно попытаться сохранить новые параметры. Для этого следует повысить напряжение модулей ОЗУ. Делать это нужно поэтапно, один шаг не должен превышать 25 милливольт (что соответствует 0,025 V). Для систем Ryzen также можно попробовать поднять напряжение SOC. Для машин с процессорами Intel нужно выполнить аналогичные действия.

Компьютер не запускается – сброс настроек с помощью CMOS

Для неопытных пользователей ситуация выглядит тревожной, когда Windows не грузится и в безопасном режиме. Но на самом деле ничего ужасного при этом не происходит, просто в BIOS отсутствует функция автоматического сброса параметров. Более того, если бы компьютер смог запуститься с неприемлемыми настройками ОЗУ, комплектующие в таком случае с большой вероятностью вышли бы из строя.

Чтобы решить эту проблему, надо сбросить параметры BIOS к заводским настройкам. Для этого потребуется:

1. Снять крышку с корпуса компьютера.
2. Извлечь из гнезда на материнской плате батарейку CMOS (для этого ее можно аккуратно поддеть отверткой или пинцетом).
3. Через 10 минут установить батарейку на прежнее место. Все изменения, вследствие которых загрузка системы стала невозможной, будут сброшены.
4. Вернуть на место и зафиксировать снятую с корпуса панель.

На материнской плате может присутствовать перемычка «CLR CMOS» или «JBAT». Для обнуления параметров также можно воспользоваться и такой перемычкой. Ее нужно снять с одних контактов, надеть на другие, а затем снова установить в прежнее положение.

Существуют также модели плат, оснащенные кнопкой, предназначенной для сброса пользовательских параметров BIOS. Чтобы отменить изменения, достаточно произвести нажатие на нее. Эта кнопка может называться так:

• CLEAR;
• CLR;
• CLR_CMOS;
• PSSWRD.

Проверка стабильности оперативной памяти

Проверить стабильность ОЗУ можно при помощи приложения Ryzen DRAM Calculator. Порядок действий таков:

1. Запустить программу и открыть вкладку MEMbench.
2. Кликнуть по кнопке «Max RAM».
3. Для начала проверки нажать на кнопку «Run». Тестирование может продолжаться до 10 минут.
4. В случае выявления ошибок (самая неприятная из которых – появление синего экрана смерти) параметры разгона придется изменить, немного пожертвовав быстродействием. Если никаких сбоев не случилось, рекомендуется установить значение «Task Scope» равным 100%. Затем можно оставить компьютер работать в режиме тестирования на несколько часов (или на всю ночь).

Проверка производительности оперативной памяти

Для тестирования производительности разогнанной оперативной памяти отлично подходит программа UserBencmark. Приложение не требует инсталляции в систему и предельно просто в использовании. После его скачивания достаточно запустить файл с расширением .exe и начать процесс сканирования. Во время проверки могут возникать кратковременные зависания, но это еще не значит, что произошел сбой. Такие замедления в ходе тестирования обусловлены большой нагрузкой на ОЗУ.

Формула правильного разгона ОП

Определить значения, при которых работа компьютера будет наиболее стабильной, можно не только экспериментальным способом, но и математическим путем. Для вычисления коэффициента эффективности работы оперативной памяти достаточно поделить частоту, на которой работает ОЗУ, на значение первого тайминга.

Например, в вашем компьютере установлены модули ОЗУ с таймингами 7-7-7-20 и работающие на частоте 1333 МГц. Для их стабильной работы на частоте 1600 МГц требуется изменить тайминги на 9-9-9-24. Эффективность с настройками по умолчанию составляет 1333/7=190,4. После разгона этот показатель будет равен 1600/9=177,8. Следовательно, при таком раскладе увеличивать тактовую частоту не имеет смысла.

Замеры температур модулей памяти при разном вольтаже

Несмотря на то, что напряжение модулей памяти составляет менее полутора вольт, во время их активного использования температура ОЗУ может ощутимо подняться даже при небольшом увеличении вольтажа. Так, всего через 8 минут тестирования «оперативки» программой MemTest при напряжении 1,39 V отмечается нагрев до 43ºC (исследования проводились при комнатной температуре). Если увеличить напряжение до 1,45 V, температура подскакивает уже до 50 ºC. При таком нагреве без дополнительного охлаждения не обойтись.

Оптимизация таймингов

Для получения максимального прироста производительности следовало бы одновременно с повышением частоты уменьшать тайминги. Но действуя так, можно задать такой режим, при котором работа компьютера будет невозможна. Поэтому вначале тайминги нужно оставлять так, как они были настроены производителем и менять только частоту. К таймингам следует переходить, только убедишь в том, что все работает стабильно. В ряде случаев их значения приходится даже поднимать. При этом следует учитывать приведенное выше правило определения коэффициента эффективности.

Дополнительные советы

В завершение нашего повествования отметим, что прирост производительности от разгона ОЗУ не превышает нескольких процентов, что не так уж и ощутимо для пользователя. Разгон можно считать оправданным, если:

• в системе используется интегрированный графический процессор (при этом он потребляет ресурсы оперативной памяти);
• отсутствует техническая или финансовая возможность установки на компьютер более производительной ОЗУ.

Если все же вы решили поднять производительность оперативной памяти путем ее разгона, примите во внимание все приведенные в данной статье советы. Это сведет к минимуму вероятность сбоев системы вследствие некорректных параметров ОЗУ и позволит выжать из вашего компьютера все, на что он способен.

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

1. Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
2. Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
3. Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Рекомендуется

TM5 с любым из конфигов ниже:

1. Конфиг «Extreme» от anta777 (рекомендую). Убедитесь, что конфиг загрузился: должно быть написано ‘Customize: Extreme1 @anta777’.
2. Ссылка на сборку TM5 с множеством конфигов. 
3. Конфиг LMHz Universal 2
4. Если возникают проблемы с аварийным завершением всех потоков при запуске с экстремальным конфигом, может помочь изменение строки «Testing Window Size (Mb)=1408». Измените значение размера окна на значение, вычисленное путём деления общего количества оперативной памяти (за вычетом некоторого запаса для Windows) на количество доступных потоков процессора (например, 12800/16 = 800 Мб на поток).

OCCT, имеющая отдельный тест памяти с использованием инструкций SSE или AVX.

• Обратите внимание, что AVX и SSE могут различаться по скорости обнаружения ошибок. В системах на базе Intel, для тестирования напряжения IMC лучше подходит SSE, а AVX – для напряжения DRAM.
• Тест Large AVX2 CPU – это отличный тест стабильности для вашего процессора и оперативной памяти одновременно. Чем сильнее вы разгоняете свою оперативную память, тем сложнее будет добиться стабильности в этом тесте.

Альтернативные варианты

GSAT

1. Установите WSL и Ubuntu.
2. В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
3. Далее: sudo apt-get install stressapptest
4. Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W —pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), —pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

Karhu RAM Test (платная)

y-cruncher с вот этими настройками.

1. В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
2. Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

«c:y-crunchery-cruncher.exe» pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

• Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
• В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

«c:prime95prime95.exe» -t

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

1. В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
2. Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
3. Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
4. Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: «c:prime95prime95.exe» -t -WRAM
5. Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

• Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
• Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
• Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

AMD: ZenTimings.

Бенчмарки (тест производительности)

• AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
• Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
• xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
• MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
• Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
• HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
• PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

Например:

• DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
• DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

из чего и следует вывод, что у этих планок латентность одинаковая.

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

• Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
• Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM. 

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Примечание: Известно, что Thaiphoon не определяет чип, а лишь пытается угадать, поэтому ему не следует полностью доверять. Настоятельно рекомендуется обращать внимание на информацию, указанную в наклейке на модуле, если это возможно.

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

• Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
• Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем. 

Первая цифра – производитель:

• 3 = Micron
• 4 = Samsung
• 5 = Hynix
• 8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

• 1 = 2 Гб
• 2 = 4 Гб
• 3 = 8 Гб
• 4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

• Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
• Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
• Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
• Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

• Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
• Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
• Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
• И следующие 2 цифры – год изготовления.
• Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

Источник.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

• На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
• У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
• Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
• Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как ~DDR4-3333 CL14 при 1,40 В, ~DDR4-3533 CL14 при 1,45 В и DDR4-3733 CL14 при 1,50 В.

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

• Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

 B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон ~30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

• Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
• В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
• Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

Некоторые термины:

• MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
• FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
• UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
• На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
• В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
• SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
• С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте DDR4-3466 и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC =< 1.10 В.
Источник: The Stilt

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

Большинство вольтажей cLDO регулируются с двух главных шин питания процессора. В случае cLDO_VDDG и cLDO_VDDP они регулируются через VDDCR_SoC. Поэтому есть пара правил. Например, если вы установите VDDG на 1,10 В, а фактическое напряжение SoC под нагрузкой у вас составляет 1,05 В, VDDG будет оставаться максимум на ~1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

• Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
• Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
• Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

• Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
• Asus: VDDCR SOC;
• Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
• MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

• «Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
• Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

• Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
• Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

• На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
• На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор. 

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

• MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
• Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на ~20%. При охвате тестирования (coverage) 6400% показатель обнаружения ошибок составляет 99,41%, а при длительности 1 час – 98,43% (Источник — раздел Kahru FAQ).
• TM5 с anta777 Extreme: 3 цикла. Время зависит от тестируемого объёма. Для 16 Гб RAM обычно требуется 1,5-2 часа. Если у вас 32 Гб, можно в 12-й строке конфиг-файла (Time(%)) сократить значение на половину, и у вас получится примерно такое же время выполнения, как и для 16 ГБ.
• OCCT Memory: по полчаса на тест SSE и на тест AVX.

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

1. Intel:

• Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
• Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
• Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

Ryzen 3000:

• Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
• Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

Где:

• Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
• Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
• Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
• Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
• Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

• На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. 
• Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

• Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
• Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
• На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

• Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
• tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
• Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
• Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
• Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Чип	tRFC (нс)
Hynix 8 Гб AFR	260-280
Hynix 8 Гб CJR	260-280
8Gb DJR	260-280
Micron 8 Гб Rev. E	280-310
Micron 16 Гб Rev. B	290-310
Samsung 8 Гб B-Die	120-180
Samsung 8 Гб C-Die	300-340

• Чтобы найти крайнее стабильное значение tRFC для всех других чипов, рекомендую пользоваться методом сужения диапазона от половины. То есть, допустим, ваш tRFC составляет 630. Следующее значение tRFC, которое вы должны попробовать – половина этого значения (315). Если это нестабильно, то мы знаем, что искомое значение находится где-то между 315 и 630, поэтому пробуем среднее значение в этом диапазоне ((315 + 630) / 2 = 472,5, округляем до 472). Если это стабильно, значит, наш самый низкий tRFC находится где-то между 315 и 472, и так далее.
• Таблица tRFC от Reous (в конце страницы).

3. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:

• На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.
• На Intel изменение tCWL повлияет на tWRRD_dg/sg и, следовательно, на tWTR_S/L. Если вы уменьшите tCWL на 1, вам нужно уменьшить tWRRD_dg/sg также на 1, чтобы сохранить те же значения tWTR. Обратите внимание, что это также может повлиять на tWR согласно взаимосвязи, описанной ранее.
• * Некоторые материнские платы плохо работают с нечетными значениями tCWL. Например, у меня стабильно работает 4000 15-19-19 при tCWL 14, но при tCWL 15 даже не проходит POST. И другие люди тоже сталкивались с этим. Некоторые материнки с виду нормальные, но на повышенных частотах тоже так же лагают (Asus). Установка вручную tCWL равным tCL, если tCL четный, или на единицу ниже, если tCL нечетный, должно помочь в этой ситуации. Например, если tCL = 18, пробуйте tCWL = 18 или 16, но если tCL = 17, то пробуйте tCWL = 16).
• В данном случае предельные (extreme) значения не являются действительно предельными. tRTP может опускаться и до 5 (до 6 при включенном режиме GDM, Gear Down Mode), а tWTRS/L можно опустить до 1/6. На некоторых платах tCWL может быть ниже tCL-6. Но имейте в виду, что это увеличивает нагрузку на контроллер памяти.
• На AMD tCWL часто устанавливается на tCL-2, но как известно, для этого требуется более высокий tWRRD.

4. Третьестепенные тайминги:

Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)

Мы предлагаем так

Известно, что многие микросхемы имеют проблемы с низкими таймингами Serial Clock (SCL). Почти для всех, кроме таких как Samsung 8 Гб B-Die, чрезвычайно сложно достигать таких значений как 2. Не обязательно значения обоих таймингов должны быть равны, а также вполне приемлемо выставить значение 5. Можно по-всякому экспериментировать с неравными таймингами, но скорее всего именно tRDRDSCL получится на 1 или даже 2 значения больше. Значения выше 5 сильно снижают пропускную способность, поэтому их использование не рекомендуется.

Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых значений.

• О настройке tWRRD_sg/dg см. пункт 3. Настройка tWRRD_dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности или снижения производительности.
• Настройка tRDWR_sg/dg/dr/dd сводится к постепенному уменьшению на 1 до появления признаков нестабильности или снижения производительности. Как правило, значения у них одинаковые, например – 9/9/9/9. Сильное перетягивание этих таймингов может привести к зависанию системы.
• Обратите внимание, что dr влияет только на двуранговые планки. Поэтому, если у вас одноранговые планки, можете игнорировать этот тайминг. Аналогично, dd учитывается только при использовании двух модулей DIMM на канал. Можно выставить их в 0 или 1, если хотите.
• Касаемо двуранговых планок (см. «О рангах и объёме»): tRDRD_dr/dd можно понизить до 5, что значительно увеличит пропускную способность чтения; При tWRWR_sg равном 6 пропускная способность записи может упасть по сравнению с 7, несмотря на сохранение стабильности.

5. Уменьшайте tCL на 1 до появления признаков нестабильности. На AMD, если включен режим GDM, уменьшайте tCL на 2.

6. На Intel, уменьшайте tRCD и tRP на 1 до появления признаков нестабильности. На AMD, уменьшайте tRCD на 1 до нестабильности. Повторите то же с tRP. Примечание: Для стабилизации сильно сниженного tRCD может потребоваться увеличение напряжения IMC.

7. Выставите tRAS равным tRCD(RD) + tRTP. Увеличьте, если нестабильно. Абсолютный минимум tRAS:

Здесь видно, что tRAS – это время между командами ACT и PRE.

• От ACT до READ = tRCD
• От READ до PRE = tRTP
• Соответственно, tRAS = tRCD + tRTP.

8. Выставите tRC равным tRP + tRAS. Увеличьте, если нестабильно. 

Настройка tRC доступна только в AMD и некоторых UEFI от Intel. В UEFI Intel на tRC, похоже, влияют tRP и tRAS, хоть он и скрыт.

• (1) tRP 19 tRAS 42 – полностью стабильно.
• (2) tRP 19 tRAS 36 – сразу ошибка.
• (3) tRP 25 tRAS 36 – стабильно при 500% охвата (coverage).
• В случаях (1) и (3) tRC равен 61 и не сказать, что это значение нестабильно. Однако в (2) tRC равен 55, и RAMTest тут же находит ошибку. Это говорит о том, что моя оперативная память может работать с низким tRAS, но не с низким tRC. Поскольку tRC скрыт, нужно увеличивать tRAS, чтобы увеличился tRC для получения стабильности.

9. Увеличивайте tREFI в пределах стабильной работы. Метод сужения диапазона от половины, описанный при поиске наименьшего tRFC, уместен и здесь.

Либо же используйте предлагаемые значения:

• Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.
• Помните, что предельно высокий tREFI может повредить файлы, поэтому поднимайтесь с осторожностью.

10. И наконец, командный тайминг (Command Rate).

AMD:

Добиться стабильного CR1 при выключенном GDM может оказаться довольно сложно, но раз уж всерьёз занялись этим всем, то стоит попробовать. Если вы без проблем можете отключить GDM и имеете при этом стабильный CR1, ничего больше не трогая, то пропустите этот раздел.

CR 1 становится значительно труднее работать по мере увеличения частоты. Зачастую достичь более высоких частот помогает CR2. 

На AMD GDM (Gear Down Mode) имеет приоритет над Command Rate. По этой причине лучше отключить GDM для установки CR 2, чтобы сохранить общую стабильность.

• Один из вариантов – установить параметры Drive Strength на 60-20-20-24, а параметры Setup Time – на 63-63-63. Drive Strength параметры это: ClkDrvStr, AddrCmdDrvStr, CsOdtDrvStr и CkeDrvStr. А к параметрам Setup Time относятся: AddrCmdSetup, CsOdtSetup и CkeSetup.
• Если получаете отказ POST, отрегулируйте параметры Setup Time до тех пор, пока проблема не уйдёт. Лучше регулировать их все вместе, синхронно.
• Проведите тест памяти.
• Если нет стабильности, регулируйте сперва параметры Setup Time, а затем Drive Strength параметры.

Intel:

• Для модулей не выше DDR4-4400, попробуйте выставить CR на 1T. Если не сработает, оставьте CR на 2T.
• На платах Asus Maximus включение функции Trace Centering хорошо способствует адаптации работы CR 1T на более высоких частотах.

11. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Но не забывайте про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.

Дополнительные материалы: 

Дополнительные советы

Увеличение эффективной частоты DRAM на 200 МГц обычно поднимает тайминги tCL, tRCD и tRP на 1 с сохранением латентности, зато повышается пропускная способность. К примеру, DDR4-3000 15-17-17 имеет ту же латентность, что и DDR4-3200 16-18-18, однако DDR4-3200 16-18-18 обладает большей пропускной способностью. Обычно это проявляется по окончании первоначальной настройки, а не через профиль XMP.

Кроме этого, частота должна быть приоритетнее низких таймингов, пока на производительность не оказывают негативного влияния синхронизация FCLK, Command Rate или режим Memory Gear.

Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) в частотном диапазоне не сильно изменяются, если вообще изменяются. Если у вас второстепенные и третьестепенные тайминги стабильно работают на DDR4-3200, то скорее всего они и на DDR4-3600 будут работать так же, и даже на DDR4-4000, при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.

Intel

Понижение tCCDL до 8 может помочь восстановить стабильность, особенно на DDR4-3600 и выше. На латентности это сильно не отразится, зато может существенно повлиять на пропускную способность памяти при чтении/записи.

Повышение частоты внеядерного кэша (aka uncore, ring cache) может повысить пропускную способность и понизить латентность.

Оптимизировав тайминги, можно увеличить значения IOL-офсетов (IOL Offsets), чтобы понизить значения IOL. После этого обязательно проведите тест памяти. Более подробная информация здесь.

• В целом, значения RTL и IOL влияют на производительность памяти. Снижение этих значений позволяет увеличить пропускную способность и значительно снизить задержки. Более низкие значения в некоторых случаях также помогут повысить стабильность и снизить энергопотребление контроллера памяти. Некоторые платы очень хорошо умеют настраивать их самостоятельно. При этом одни платы позволяют пользователю легко менять параметры вручную, в то время как другие просто игнорируют любой пользовательский ввод.
• К попыткам вручную уменьшить пару RTL/IOL стоит прибегать в последнюю очередь, когда более ничего не помогает.

Для материнских плат Asus Maximus:

• Поиграйте с режимами Maximus Tweak Modes – бывает, что один из них работает, а другой нет.
• Можно включить Round Trip Latency в разделе Memory Training Algorithms, чтобы плата пыталась натренировать значения RTL и IOL.
• Если возникают проблемы с загрузкой, стоит попробовать изменить значения Skew Control. Подробнее здесь (англ.)

Сильное влияние tXP (а затем PPD) на латентность памяти показывает AIDA64.

RTT Wr, Park и Nom могут оказать огромное влияние на разгон. Идеальные значения зависят от конкретной платы, конкретного чипа памяти и объёма. «Оптимальные» значения позволяют получить более высокие частоты при наименьшем напряжении контроллера памяти. Некоторые платы предлагают auto значения (MSI), другие – нет (Asus). Поиск лучшей комбинации занимает много времени, но весьма полезен для продвинутого тюнинга.

На некоторых материнских платах включение XMP благоприятно сказывается на разгоне.

AMD

Если не можете загрузиться, попробуйте поиграть со значениями ProcODT. Этот параметр определяет импеданс встроенной терминации (On-Die Termination, ODT) процессора. По данным Micron, более высокие значения ProcODT могут повысить стабильность работы RAM, но при этом может потребоваться более высокое напряжение. На Ryzen 1000 и 2000 используйте значения в диапазоне 40-68,6 Ом, поскольку его контроллер памяти гораздо слабее. Для Ryzen 3000 и 5000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. Более низкие значения не гарантируют безотказную работу, но теоретически позволяют снизить требования к напряжению. Более высокие же значения могут способствовать стабильности, хотя, по словам Micron, увеличивать значения ODT более 60 Ом имеет смысл только если контроллер памяти уж очень слабый, а некоторое повышение энергопотребления не окажет негативного влияния на систему в целом. Это согласуются с настройками, предлагаемыми пользователем The Stilt. Сбросьте всё в дефолт AGESA, кроме ProcODT – ему выставите 40 Ом, что является нормой ASUS для OptiMem III.

Понижение напряжения SoC и/или VDDG IOD может помочь восстановить стабильность.

На Ryzen 3000/5000 повышение значения CLDO_VDDP поможет со стабильностью на DDR4-3600 и выше. Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.

При увеличении частоты FCLK до 1800 МГц периодические возникаемые ошибки Memory Training Error могут быть сокращены или полностью устранены путем увеличения VDDG CCD

Подготовлено по материалам GitHub.