Как изменить тайминги оперативной памяти ddr3

Предупреждение 1: В данной статье не будет подробных материалов по настройке ODT, RTT и прочих параметров не относящихся к настройке таймингов и частоты, т.к. эти параметры индивидуальны для каждой системы и, как показывает практика, полезны лишь тем людям, которые готовы потратить много времени на их настройку вручную, чтобы получить максимум скорости ОЗУ.

   
Предупреждение 2: Не забывайте про опасность чрезмерного повышения напряжения, уровень рабочего напряжения индивидуален для каждого модуля ОЗУ, некоторые модули ОЗУ не терпят повышение напряжения выше номинального, и повышение напряжения на такие модули памяти может плохо сказаться на стабильности.

   
Предупреждение 3: Модули памяти не любят высокие температуры, при сильном разгоне следует организовать охлаждение для памяти, иначе неизбежно будут ошибки в работе, и не получится достичь максимальных результатов.

Предупреждение 5: Предыдущее предупреждение потерялось, оно  не хотело брать ответственность за свои действия…

Вот и закончились предупреждения, время начать сначала, а именно с момента когда я собственно и пришел к универсальному методу разгона ОЗУ.
Данную предысторию можно пропустить при желании.
В далеком 2016 году у меня появился один интересный модуль, имя его: GeIL 16GB GP416GB2400C16SC (далее сокращенно GEIL), так же была еще Crucial 8GB CT8G4DFD8213, в те времена у меня была система Z170+6700K и опыта в разгоне DDR4 особого не было, мои результаты разгона были 2600 МГц для GEIL и 3100 МГц для Crucial.

Внешний вид GeIL 16GB GP416GB2400C16SC

         
После в 2017 году я перешел на B350+R5 1600 BOX, на первых биосах GEIL отказалась вообще работать, в то время как Crucial легко и просто взяла те же «3100 МГц» (3066 МГц) как и в паре с 6700K, после я прошил последний биос, который был на тот момент, и GEIL без проблем заработала, взяв по частоте 2666 МГц.

Уже в начале 2018 года я смог выжать из GEIL — 2933 МГц, благодаря настройке ODT, для GEIL требовалось ODT на уровне 80 Ом. Crucial даже с ручной настройкой ODT выше «3100 МГц» не получилось разогнать.

Сохранившиеся старые скриншоты GEIL 16GB + Crucial 8GB, 6700K Gammax 300 и R5 1600 BOX.

В том же 2018 году я перешел на 2600X и научился разгонять память по своему, калькуляторы вообще никак не могли помочь с разгоном GEIL, они всегда давали нерабочие параметры, с которыми GEIL не могла работать, советы других людей тоже ничем не помогали в разгоне таймингов (частотный потолок я ведь уже нашел).

Сложность разгона GEIL заключалась в том, что эта память имела 8 двухслойных чипов общим объемом 16GB, и любое ручное отклонение по таймингам от того, что контроллер подобрал на автомате, приводило обычно к нестабильности или вовсе невозможности запустить систему.

Сохранившаяся информация о модуле памяти GeIL 16GB GP416GB2400C16SC

Я обратил внимание на то, что система в автоматическом режиме на разных частотах устанавливает разные вторичные тайминги, и подумал: Почему бы не использовать тайминги от более низкой частоты на более высокой частоте? И мне это удалось.

После я предлагал друзьям и знакомым свой метод разгона памяти попробовать, в целом результаты положительные, если все правильно сделать, особенно если в системе установлена память, которую никто не обозревает, непонятно что за она, и чего ждать от нее (таких комплектующих, увы, большинство на рынке, по которым найти информацию крайне тяжело, либо невозможно по причине «скрытности» производителей некоторых).

Теперь можно перейти к принципу разгона:

Всего 5 этапов, 4 из них обязательны.

1) Поиск максимальной стабильной частоты ОЗУ.

— На данном этапе необходимо подобрать рабочее напряжение, найти максимальную частоту, при которой стабильно работает, ODT установить подходящее.

-RTT сопротивления можно проигнорировать и оставить на авто, мы ведь не собираемся максимум выжимать из памяти, потратив много времени.

— Тайминги на Авто, при необходимости поднять CL выше 16, бывает такое, что система не поднимает сама CL выше 16.

— Этот этап нужен просто для экономии времени в будущем.

2) Откат частоты ОЗУ от максимальной стабильной на 3-4 множителя.

— ODT и напряжение уже установлены, частота максимальная стабильная найдена, допустим, это будет 2933 МГц при 1.35в и 80 Ом ODT.

— Откат делаем, например, до частоты в 2666 МГц при 1.35в и 80 Ом ODT. 

— Если разница частоты слишком большая, например, максимальная стабильная 3333 МГц, а откат нужно делать до 2666 МГц, то возможно потребуется изменить ODT, но это не точно.

— Не забываем делать перезагрузку перед следующим этапом!

3) Зафиксировать тайминги автоматически установленные.

— Мы сделали откат на более низкую частоту, в нашем случае 2666 МГц, теперь самое время записать/сфотографировать все тайминги, получившиеся на данной частоте.

— Устанавливаем все тайминги в биосе, кроме tRFC и таймингов без значения или со значением 0. 

— И еще раз: tRFC и тайминги «без значения» / «установленные в 0» НЕ трогать на данном этапе! Это важно!

— Не забываем делать перезагрузку перед следующим этапом!

4) Поднять частоту ОЗУ обратно вверх.

— Мы установили все тайминги кроме tRFC и «без значения», теперь нам осталось только найти максимальную частоту, при которой все это дело будет работать.

— Первый этап нам сейчас экономит очень много времени, т.к. мы уже знаем максимальную частоту, выше которой не прыгнуть.

— Проверяем стабильность

5) Ужимаем тайминги.

— Проверяем стабильность, по желанию ужимаем tRFC и тайминги уже вручную, для достижения более хороших результатов.

С теорией пожалуй разобрались, теперь начнем практику.

В качестве подопытного будет участвовать система:

CPU: AMD Ryzen 3 1200 @ 3849 MHz, 1.38v
Cooler: Кастомный на основе Titan TTC-NK34TZ/RF(BX), наполовину пассивный режим работы.
RAM: 2 x Samsung M378A1G43TB1-CTD
MB: MSI B450-A Pro Max (MS-7B86)

Дата выпуска модулей памяти: Неделя 47 / 2018 и Неделя 12 / 2019 (покупались в разное время)
Маркировка чипов памяти: SEC 910 K4A4G085WT BCTD

Испытуемые модули памяти без «радиаторов»

Подробная информация о модулях памяти Samsung M378A1G43TB1-CTD
*физически модули памяти установлены в слотах A2 и B2

Внешний вид системы на момент проведения разгона.

С информацией о модулях памяти и системе закончили, теперь поэтапный разгон на практике.
Внимание: т.к. я уже знаю максимальную стабильную частоту ОЗУ при заниженных таймингах, я не буду показывать максимальные частоты, на которых память нестабильно запускалась и работала.
Так же я не буду объяснять про настройку ODT и RTT, т.к. это не входит в рамки данной статьи, но для полноты картины я покажу конкретные значения на фото, конкретно для моей системы, с которыми все работает нормально у меня.

1 Этап:

— Мы нашли максимальную рабочую частоту стабильную, установили ODT для этой частоты, так же установили напряжения подходящие

— Для экономии времени сохраним в профиль разгона параметры, чтобы в случае последующих неудач сэкономить много времени, просто восстановив из профиля настройки.

— Проверяем, что все работает нормально

2 Этап:

— Делаем откат частоты, в моем случае 2866 МГц.

— Все настроенные параметры напряжений и ODT / RTT трогать не надо

3-4 Этап:

— Фиксируем тайминги, которые система автоматически установила для частоты 2866 МГц.

— tRFC и тайминги «без значения» не трогаем!

— Поднимаем частоту вверх, т.к. я уже знаю предел рабочий, я могу поднять частоту сразу до 3333 МГц используя тайминги от 2866 МГц.

— Проверяем стабильность, и если все нормально, то повышаем частоту выше.

— В моем случае разница частоты получается 466 МГц при неизменных таймингах.

— В любом другом случае разница частоты может оказаться другой, в зависимости от возможностей модулей памяти, системной платы и процессора, это нужно проверять индивидуально.

5 Этап:

— Поджимаем первичные тайминги, tRFC и, если позволяют модули памяти, можно поджать субтайминги (модули с двухслойными чипами памяти обычно не позволяют просто так это сделать)

— Проверяем стабильность и, если все нормально, то жмем дальше, либо правим параметры для достижения стабильности.

На этом разгон успешно завершен, никакие калькуляторы использовать не пришлось, и расчеты производить тоже необязательно, потому что мы работаем с параметрами, которые система подготовила сама.

Теперь перейдем к сводке результатов, которые во время разгона были собраны:

Итого мы получаем:

Разница частоты на автоматических таймингах между 2866 МГц и 3333 МГц достигает 16.3%, в то время как пропускная способность по данным AIDA64 поднимается всего лишь на ~6%, не густо как-то…

Но картина полностью меняется, если зафиксировать тайминги на частоте 2866 МГц и поднять частоту до уровня 3333 МГц, в таком случае разница пропускной способности между 2866 АВТО и 3333 с таймингами от 2866 достигает уже ~16%!
Еще больше разница выходит после ручного «дожима» таймингов на последнем этапе, уже целых ~17% разница по отношению к 2866 МГц! И это при разнице частоты в ~16%.

Преимущества данного метода разгона:

1) Не требуется калькулятор с формулами под рукой для расчета таймингов.

2) Отличные результаты, по сравнению с автоматической установкой таймингов контроллером памяти на высоких частотах.

3) Вероятность ошибки минимальна — мы просто используем то, что система сама настроила стабильно.

4) Не нужно прибегать к помощи программ-калькуляторов, которые, как правило, бесполезны во многих случаях и тратят очень много времени, заставляя перебирать скорее всего нерабочие параметры, которые могут не подходить в конкретном случае.

5) Метод работает всегда, разве что требует внимательности, чтобы не допустить ошибку на одном из этапов разгона.

А теперь немного полезной информации:

— ODT для двухранговой памяти обычно выше чем для одноранговой, в моем случае двухранговая память и рабочие значения у меня 60-68.6 Ом, в вашем случае могут быть другие значения в зависимости от системной платы, от модулей ОЗУ, от процессора.
Например, на Gigabyte B450 Aorus M рабочее значение ODT подходило к 50 Ом с этой же памятью… Поэтому не пытайтесь копировать значения ODT и RTT, оно индивидуально в каждом конкретном случае! И на данный момент я не могу ничего посоветовать универсального с настройкой данных параметров.

— Температура: модули памяти могут давать ошибки при сильном нагреве, именно поэтому у меня стоит над видеокартой 12см куллер, он одновременно сгоняет нагретый воздух с зоны врм, и подгоняет  воздух к модулям памяти для охлаждения, так же он в радиатор процессора подгоняет дополнительно воздух.
По факту тройная польза от одного косо-установленного вентилятора на низких оборотах, не говоря уже о том, что он дополнительно обдувает текстолит видеокарты…
Воздушный поток кулера процессора направлен в зону передней панели*

— Чистота и порядок: Иногда мешать разгону могут окисления на контактах ОЗУ, решение проблемы кроется в старом добром ластике…

На этом пожалуй все.

В этой статье мы разберемся, что такое тайминги оперативной памяти. Узнаем какие параметры латентности лучше для скорости и как их посмотреть на компьютере или ноутбуке. Поймем, как правильно подобрать и выставить тайминги оперативки и на что они влияют. Дам ссылку на калькулятор таймингов и таблицу для основных типов памяти и частот.

Обычно при выборе оперативной памяти для настольного ПК или ноутбука, мы смотрим на объём ОЗУ, тактовую частоту и тип памяти DDR для ее совместимости с материнской платой. Однако у оперативки есть еще такая характеристика, как тайминги или по научному — латентность. И вот на этот параметр обращают внимание только специалисты и продвинутые геймеры.

Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее работает оперативка.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе “тайминг” — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Чем меньше значения таймингов, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и памятью и значит тем производительней оперативная память.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных.

В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел:

CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24, или только одна, например CL11. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Как изменить

Изменить тайминги можно, как в сторону уменьшения, так и в сторону увеличения при помощи разгона. Для этого необходима тонкая настройка частоты работы модуля и его напряжения. Путем уменьшения или увеличения частоты работы памяти, так же уменьшаются или увеличиваются тайминги. Эти параметры подбираются индивидуально для каждого модуля памяти или наборов памяти.

Вот один из комментариев к памяти, о которой я рассказывал выше ⇓

Память очень достойная! С базовой частоты 1600 mhz удалось разогнать до 2200 mhz с таймингами 11-12-12-28 на напряжении 1.65v.

Разгон по частоте составил 27%, что очень хороший результат. При этом тайминги и напряжение были повышены минимально. Такой разгон довольно заметно сказался на всей скорости работы компьютера.

Весь смысл этого действа, подобрать такие оптимальные характеристики частоты, таймингов и напряжения, чтобы модуль/модули памяти выдавали максимальную скорость работы и при этом стабильно работали в таком режиме. Это требует времени и знаний.

Так же материнка должна поддерживать разгон оперативки. Сейчас есть планки памяти со встроенным XMP профилем. В нем уже прописаны заводские параметры разгона, с которыми память может работать. Вам остается только применить нужный XMP профиль и оперативка запуститься с этими параметрами.

В штатном режиме компьютер получает все настройки оперативной памяти из SPD — микросхемы, которая распаивается на каждом модуле. Но, если есть желание добиться максимальной производительности, целесообразно попробовать изменить тайминги. Конечно, можно сразу приобрести модули с минимальными значениями задержек, но они могут стоить заметно дороже.

Настройки памяти меняются через BIOS персонального компьютера или ноутбука. Универсального ответа на вопрос, как в биосе поменять тайминги оперативной памяти не существует.

Возможности по настройке подсистемы памяти могут сильно различаться на разных материнских платах. У дешевых системных плат и ноутбуков может быть предусмотрена только работа памяти в режиме по умолчанию, а возможности выбирать тайминги оперативной памяти — нет.

В дорогих моделях может присутствовать доступ к большому количеству настроек, помимо частоты и таймингов. Эти параметры называют подтаймингами. Они могут быть полезны при тонкой настройке подсистемы памяти, например, при экстремальном разгоне.

Изменение таймингов позволяет повысить быстродействие компьютера. Для памяти DDR3 это не самый важный параметр и прирост будет не слишком большим, но если компьютер много работает с тяжелыми приложениями, пренебрегать им не стоит. В полной мере это относится и к более современной DDR4.

Заметно больший эффект может принести разгон памяти по частоте, а в этом случае тайминги весьма вероятно придется не понижать, а повышать, чтобы добиться стабильной работы модулей памяти во внештатном режиме.

К слову, подобные рекомендации можно встретить при выборе памяти для новых процессоров AMD Ryzen. Тестирования показывают, что для раскрытия потенциала этих процессоров нужна память с максимальными частотами, даже в ущерб таймингам. Вот калькулятор таймингов для процессоров Ryzen.

Стоит отметить, что далеко не во всех случаях настройка подсистемы памяти даст сколько-нибудь заметный результат. Есть приложения, для которых важен только объем оперативной памяти, а тонкий тюнинг задержек даст прирост на уровне погрешности.

Нужно учитывать, что слишком сильное уменьшение задержек памяти может привести к нестабильной работе компьютера и даже к тому, что он откажется запускаться. В этом случае необходимо будет сбросить BIOS на дефолтные настройки или, если вы не умеете этого делать, придется обратиться к специалистам.

Как правильно выставить

Начать, разумеется, стоит с выяснения стандартных настроек, рекомендованных производителем для данного модуля. Как проверить тайминги оперативной памяти, мы рассмотрели ранее. Затем можно посмотреть статистику на интернет ресурсах посвященных разгону, чтобы примерно представлять, чего можно ожидать от конкретного модуля оперативной памяти.

Как отмечалось, неверные значения задержек легко могут привести к невозможности загрузки компьютера, поэтому выясните, как именно осуществляется сброс настроек BIOS. Причем, не только программно, но и аппаратно, на случай, если не будет возможности даже войти в БИОС. Информацию об этом можно найти в документации к материнской плате или в интернете.

Чтобы разобраться, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе, обычно не требуется много времени. В первый раз может потребоваться документация, потом все будет проще.

Далее стоит провести тестирование, как система поведет себя под нагрузкой. Для этого можно воспользоваться специализированными программами или просто хорошо нагрузить компьютер, например, запустит на час игру с высокими настройками графики или кодирование видеофайла высокого разрешения.

Если компьютер работает стабильно, можно понизить тайминги еще на один такт. Если происходят зависания, появляются сообщения о системных ошибках или программы аварийно завершаются, то нужно отменить изменения и вернуться на такт назад.

Разобравшись, как уменьшить правильно тайминги оперативной памяти ddr3 и более современной ddr4 не стоит сразу приступать к экспериментам. Сначала стоит определить, исходя из особенностей вашего «железа», что предпочтительней: повысить частоты или понизить задержки. Сейчас в большинстве случаев большего эффекта можно достичь за счет повышения тактовых частот.

Что больше влияет на скорость работы оперативной памяти — более низкие тайминги или более высокая частота

Самое важное, что вы должны понять и запомнить, чтобы разобраться в этом вопросе раз и навсегда, это то, что ПРИ ПОВЫШЕНИИ ЧАСТОТЫ, НА КОТОРОЙ РАБОТАЕТ МОДУЛЬ ОЗУ, АВТОМАТИЧЕСКИ ПОВЫШАЮТСЯ И ЗАДЕРЖКИ ПАМЯТИ. При понижении частоты, они уменьшаются. Это хорошо видно при сравнении планок памяти разных поколений.

Для сравнения скорости работы, возьмем два разных типа оперативки. Более старого DDR3 и современного DDR4.

Сравнить скорость разных модулей ОЗУ в наносекундах можно с помощью формулы ⇓

Тайминг*2000/частоту памяти. Например планка DDR4 с таймингом CL16 будет работать со скоростью 16*2000/3000=10.6 nanosec, а DDR3 с таймингом CL9 со скоростью 9*2000/1600=11.25 nanosec.

Как видно из примера частота работы памяти тоже очень важна. У DDR3 латентность намного ниже, чем у DDR4, но частота работы модуля DDR4 заметно выше DDR3. Хоть не намного, но DDR4 опережает DDR3 по скорости работы. Так же у него еще и большая пропускная способность. У будущей DDR5 я думаю разница в скорости будет еще больше.

Выходит, что тактовая частота оперативки влияет на производительность в большей степени, чем более низкие тайминги. Конечно, если выбор стоит между планками с одинаковой частотой, то лучше выбрать ту, у которой меньшие задержки.

Если кто-то хочет более серьезно разобраться с этим вопросом, вот ссылочка на таблицу по таймингам в Гуглдокс.

Стоит учитывать тайминги и при выборе модулей памяти для многоканального режима. Оптимальным решением будет покупка готового комплекта в котором все планки имеют идентичны характеристики. Если такой возможности нет, то стоит искать модули у которых не только совпадает тактовая частота и организация чипов, но и будут одинаковые тайминги.

Факты

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки.

Во времена оперативки DDR и DDR2, таймингам придавалось большое значение, поскольку кэш процессоров был значительно меньше, чем сейчас и приходилось часто обращаться к памяти.

Современные центральные процессоры имеют большие L2 и L3 кэш, что позволяет им гораздо реже обращаться к памяти. В случае маленьких программ, их данные могут целиком помещается в кэш процессора и тогда обращение к памяти вовсе не требуется.

Александр

В 1998 году — первое знакомство с компьютером. С 2002 года постоянно развиваюсь и изучаю компьютерные технологии и интернет. Сейчас военный пенсионер. Занимаюсь детьми, спортом и этим проектом

Задать вопрос

Одной из ключевых характеристик оперативной памяти является тактовая частота. Под разгоном подразумевается принудительное повышение ее значения. Функционирование памяти на более высокой частоте увеличивает вероятность непредвиденных сбоев или неисправностей, поэтому данный вопрос требует детального рассмотрения. Инструкция проверка микро.

Зачем разгонять оперативную память

Значение имеет не только объем установленной на машине пользователя оперативной памяти, но и ее быстродействие. Увлечение частоты оперативной памяти позволяет улучшить ее производительность. Чем выше этот показатель, тем больше объем данных обрабатывается в единицу времени. Это сказывается и на общей производительности компьютера.

Грамотно выполненный разгон дает пользователю следующие преимущества:

• требуется меньше времени для полной загрузки операционной системы;
• возрастает скорость работы инсталлированных в систему приложений (по результатам тестов архивирование файлов архиватором WinRAR ускоряется до 40%);
• увеличивается производительность требовательных к ресурсам игр за счет улучшения показателя частоты кадров (FPS).

Как узнать тайминги оперативной памяти

На производительность модулей памяти влияет не только частота, но и тайминги. Многие пользователи при выборе ОЗУ игнорируют этот параметр, а напрасно. От значений таймингов также зависит, насколько стабильно будет функционировать система. Считается, что чем выше их значения, тем меньше вероятность сбоя, но при этом снижается и быстродействие.

Тайминги – это задержки времени, которые отмечаются между передачей определенной команды шины памяти и ее фактическим выполнением. Проще говоря, данная характеристика показывает, с какой скоростью передаются данные внутри модуля оперативной памяти.

Тайминги обычно указаны на наклейке на планке оперативной памяти в виде последовательности из 4 чисел, разделенных дефисом.  Они отображают следующие значения по порядку:

1. CL (CAS Latency) – сколько времени прошло от передачи запроса к памяти, до того как она начала его обрабатывать;
2. tRCD (RAS to CAS Delay) – продолжительность периода активации ряда (RAS) и колонки (CAS) в матрице хранения данных;
3. tRP (RAS Precharge) – временной отрезок, начинающийся с команды деактивации одной строки и завершающийся активацией другой;
4. tRAS (Active to Precharge Delay) – число циклов, которые нужно ждать перед тем, как следующий запрос к памяти может быть инициализирован.
5. CR или CMD (Command Rate) – сколько циклов проходит от включения чипа памяти до того, как он сможет принимать команды. Часто его не указывают, и он равен 1 или 2 циклам (1T и 2Т соответственно).

Чтобы узнать значения таймингов, вовсе не понадобится снимать боковую панель с корпуса ПК или разбирать ноутбук. Необходимые сведения можно посмотреть, воспользовавшись одной из утилит для считывания информации об установленных в системе комплектующих. Для этой цели подойдет бесплатная программа CPU-Z. Для получения нужной информации достаточно перейти на вкладку «Memory» и ознакомиться с содержанием раздела «Timings».

Подготовка к разгону ОЗУ

Для пользователя разгон оперативной памяти выглядит более сложной процедурой, чем разгон центрального процессора или графического адаптера. Ведь поднять одну частоту чаще всего бывает недостаточно, приходится настраивать и другие параметры. Важно уметь заранее предвидеть возможные последствия изменения настроек, установленных производителем комплектующих по умолчанию.

Что нужно знать перед разгоном оперативной памяти

Если в системе установлено больше одной планки «оперативки», следует убедиться, что все они одинаковой модели (в любом случае они должны обладать одними и теми же техническими характеристиками и поддерживать разгон).

Если окажется, что модули разные, система будет функционировать на частоте самого медленного из них.

Также стоит отметить, что при поддержке контроллерами работы в двухканальном режиме (он используется для повышения пропускной способности) планки памяти необходимо ставить не подряд друг за другом, а через один слот (если они используются не все).

Информацию об установленных на компьютере модулях ОЗУ можно получить с помощью программы AIDA64. Для этого в меню в левой части ее окна нужно щелчком по треугольнику слева от строки развернуть список «Системная плата» и кликнуть по компоненту «SPD». В правой секции окна вверху появится список обнаруженных в системе модулей памяти, а внизу – параметры и технические характеристики модуля, выбранного левой кнопкой мыши из этого списка.

Перед тем, как приступать к разгону, следует тщательно взвесить все связанные с ним риски. Пользователь должен отдавать себе отчет в том, что:

1. Изменение технических параметров работы модулей оперативной памяти способствует уменьшению срока их службы. И чем больше удалось поднять производительность, тем меньше устройство прослужит.
2. Если ОЗУ работает на частоте, превышающей заявленное производителем значение, это приводит к повышению тепловыделения. Возможно, для отвода излишнего тепла в корпус устройства потребуется поставить дополнительный вентилятор или же заменить имеющийся на более подходящий. Отметим, что ряд моделей памяти, пригодных для разгона, оснащены радиаторами, что помогает избежать их перегрева.
3. Может оказаться, что при выполнении разгона будут выставлены значения, с которыми материнская плата работать не сможет. Тогда запуск операционной системы произвести не удастся. Но и опасаться того, что комплектующие тут же сгорят, тоже не стоит. О том, как исправить описанную ситуацию, будет сказано ниже.
4. В результате разгона энергопотребление системы немного возрастет.
5. В случае разгона до значений, не предусмотренных производителем, пользователь скорее всего лишится гарантии на модули ОЗУ.

Технология XMP

Разработанная корпорацией Intel технология XMP предоставляет пользователю возможность увеличить частоту ОЗУ до значений, которые не были предусмотрены производителем оборудования. По сути, XMP является дополнительным профилем JEDEC, который представляет собой включенный в BIOS список допустимых частот и таймингов.

С помощью профиля XMP оперативную память можно разогнать до экстремальных показателей. Но такие значения могут быть далеки от параметров, на которые опирались разработчики чипсета. Тогда в результате неудачного разгона станет невозможно выполнить загрузку компьютера или станут происходить многочисленные сбои во время его работы.

Как определить идеальные тайминги для ОЗУ

Для определения самых подходящих значений таймингов, которые следует выставить при разгоне ОЗУ, удобно использовать приложение Ryzen DRAM Calculator, предлагаемое компанией AMD. Обладателям процессоров AMD Ryzen данная программа позволит также упростить процедуру разгона «оперативки». При его использовании вам не понадобится выполнять вручную проверку тактовых частот на совместимость с вашей системой.

Если же в вашем компьютере используется процессор Intel, Ryzen DRAM Calculator все равно поможет в подборе таймингов. Эффективность выбранных настроек можно оценить при помощи внедренного в приложение тестера памяти.

Для подбора самых подходящих для конкретной системы таймингов нужно выполнить такую последовательность шагов:

1. В окне приложения выбрать процессор, используемый вашей системой, и указать тип памяти. Пользователям, на машине которых установлен процессор Intel, в строке «Processor» следует указать «Ryzen 2 Gen».
2. Кликнуть по кнопке «R-XMP» внизу окна программы (она окрашена в фиолетовый цвет). Это позволит произвести загрузку профиля XMP для установленной в системе оперативной памяти.
3. Щелкнуть мышью по зеленой кнопке «Calculate SAFE», активирующей команду расчета таймингов.

Следует подчеркнуть, что настройки, имеющие параметр «SAFE», срабатывают почти во всех случаях. Если же загрузить параметры, которые можно получить нажатием на кнопку «Calcalate FAST», для их использования придется повышать напряжение. Ну а для таймингов, соответствующих режиму «EXTREME», потребуется установить предельно возможные значения всех параметров. В таком случае рассчитывать на стабильность системы не приходится.

Разгон оперативной памяти с помощью BIOS/UEFI

Прежде чем приступать к детальному рассмотрению процедуры разгона, подчеркнем, что менять параметры надо постепенно. Если мы резко увеличим частоту и понизим значения таймингов, велика вероятность того, загрузить компьютер не удастся, а решение этой проблемы потребует от нас дополнительных усилий.

В общем виде схема разгона выглядит так:

1. Выключаем компьютер или выполняем его перезагрузку.
2. Снова включаем компьютер и загружаем BIOS (либо UEFI на новых моделях системных плат). С помощью какой клавиши или клавиатурной комбинации это сделать, можно найти в руководстве материнской платы или на сайте ее производителя. Весьма распространены такие комбинации, как «Del», «F1», «F2», «Ctrl-Alt-Esc».
3. Находим раздел, отвечающий за настройки оперативной памяти. Где он располагается, зависит от типа BIOS. Названия этого раздела у разных моделей могут отличаться. Например, у русифицированного UEFI материнской платы GIGABYTE нужные параметры находятся на вкладке M.I.T. в разделе «Расширенные настройки частот». Здесь можно выставить нужное значение множителя памяти. Для того, чтобы отрегулировать тайминги и поменять напряжение, понадобится зайти в раздел «Расширенные настройки памяти».
4. Выполняем загрузку своего профиля XMP (подробная инфорация об этом приводится в разделе «Подготовка к разгону ОЗУ»). Это позволит установить частоту на допустимую величину. Увеличиваем только частоту, с таймингами пока лучше не экспериментировать.
5. Сохраняем новые параметры и перезапускаем машину. В большинстве систем для применения внесенных изменений используется клавиша «F10».
6. Проверяем, насколько стабильно работает компьютер после разгона.
7. Если никаких сбоев не выявлено, можно попробовать еще увеличить частоту.
8. После того, как подобрана максимальная частота, на которой компьютер работает без сбоев, можно попытаться изменить тайминги.
9. Наконец, следует отрегулировать напряжение. Но его значение не должно превышать 1,450 V.

После каждого изменения следует проверять систему на работоспособность и стабильность.

Если компьютер перестал включаться

Даже при грамотном выполнении разгона ОЗУ нельзя исключать ситуацию, при которой компьютер отказывается загружаться. Если возникла такая проблема, прежде всего надо проверить, идет ли загрузка в безопасном режиме.

Компьютер загружается в безопасном режиме – повышаем напряжение

Если в безопасном режиме операционная система все же загрузилась, можно попытаться сохранить новые параметры. Для этого следует повысить напряжение модулей ОЗУ. Делать это нужно поэтапно, один шаг не должен превышать 25 милливольт (что соответствует 0,025 V). Для систем Ryzen также можно попробовать поднять напряжение SOC. Для машин с процессорами Intel нужно выполнить аналогичные действия.

Компьютер не запускается – сброс настроек с помощью CMOS

Для неопытных пользователей ситуация выглядит тревожной, когда Windows не грузится и в безопасном режиме. Но на самом деле ничего ужасного при этом не происходит, просто в BIOS отсутствует функция автоматического сброса параметров. Более того, если бы компьютер смог запуститься с неприемлемыми настройками ОЗУ, комплектующие в таком случае с большой вероятностью вышли бы из строя.

Чтобы решить эту проблему, надо сбросить параметры BIOS к заводским настройкам. Для этого потребуется:

1. Снять крышку с корпуса компьютера.
2. Извлечь из гнезда на материнской плате батарейку CMOS (для этого ее можно аккуратно поддеть отверткой или пинцетом).
3. Через 10 минут установить батарейку на прежнее место. Все изменения, вследствие которых загрузка системы стала невозможной, будут сброшены.
4. Вернуть на место и зафиксировать снятую с корпуса панель.

На материнской плате может присутствовать перемычка «CLR CMOS» или «JBAT». Для обнуления параметров также можно воспользоваться и такой перемычкой. Ее нужно снять с одних контактов, надеть на другие, а затем снова установить в прежнее положение.

Существуют также модели плат, оснащенные кнопкой, предназначенной для сброса пользовательских параметров BIOS. Чтобы отменить изменения, достаточно произвести нажатие на нее. Эта кнопка может называться так:

• CLEAR;
• CLR;
• CLR_CMOS;
• PSSWRD.

Проверка стабильности оперативной памяти

Проверить стабильность ОЗУ можно при помощи приложения Ryzen DRAM Calculator. Порядок действий таков:

1. Запустить программу и открыть вкладку MEMbench.
2. Кликнуть по кнопке «Max RAM».
3. Для начала проверки нажать на кнопку «Run». Тестирование может продолжаться до 10 минут.
4. В случае выявления ошибок (самая неприятная из которых – появление синего экрана смерти) параметры разгона придется изменить, немного пожертвовав быстродействием. Если никаких сбоев не случилось, рекомендуется установить значение «Task Scope» равным 100%. Затем можно оставить компьютер работать в режиме тестирования на несколько часов (или на всю ночь).

Проверка производительности оперативной памяти

Для тестирования производительности разогнанной оперативной памяти отлично подходит программа UserBencmark. Приложение не требует инсталляции в систему и предельно просто в использовании. После его скачивания достаточно запустить файл с расширением .exe и начать процесс сканирования. Во время проверки могут возникать кратковременные зависания, но это еще не значит, что произошел сбой. Такие замедления в ходе тестирования обусловлены большой нагрузкой на ОЗУ.

Формула правильного разгона ОП

Определить значения, при которых работа компьютера будет наиболее стабильной, можно не только экспериментальным способом, но и математическим путем. Для вычисления коэффициента эффективности работы оперативной памяти достаточно поделить частоту, на которой работает ОЗУ, на значение первого тайминга.

Например, в вашем компьютере установлены модули ОЗУ с таймингами 7-7-7-20 и работающие на частоте 1333 МГц. Для их стабильной работы на частоте 1600 МГц требуется изменить тайминги на 9-9-9-24. Эффективность с настройками по умолчанию составляет 1333/7=190,4. После разгона этот показатель будет равен 1600/9=177,8. Следовательно, при таком раскладе увеличивать тактовую частоту не имеет смысла.

Замеры температур модулей памяти при разном вольтаже

Несмотря на то, что напряжение модулей памяти составляет менее полутора вольт, во время их активного использования температура ОЗУ может ощутимо подняться даже при небольшом увеличении вольтажа. Так, всего через 8 минут тестирования «оперативки» программой MemTest при напряжении 1,39 V отмечается нагрев до 43ºC (исследования проводились при комнатной температуре). Если увеличить напряжение до 1,45 V, температура подскакивает уже до 50 ºC. При таком нагреве без дополнительного охлаждения не обойтись.

Оптимизация таймингов

Для получения максимального прироста производительности следовало бы одновременно с повышением частоты уменьшать тайминги. Но действуя так, можно задать такой режим, при котором работа компьютера будет невозможна. Поэтому вначале тайминги нужно оставлять так, как они были настроены производителем и менять только частоту. К таймингам следует переходить, только убедишь в том, что все работает стабильно. В ряде случаев их значения приходится даже поднимать. При этом следует учитывать приведенное выше правило определения коэффициента эффективности.

Дополнительные советы

В завершение нашего повествования отметим, что прирост производительности от разгона ОЗУ не превышает нескольких процентов, что не так уж и ощутимо для пользователя. Разгон можно считать оправданным, если:

• в системе используется интегрированный графический процессор (при этом он потребляет ресурсы оперативной памяти);
• отсутствует техническая или финансовая возможность установки на компьютер более производительной ОЗУ.

Если все же вы решили поднять производительность оперативной памяти путем ее разгона, примите во внимание все приведенные в данной статье советы. Это сведет к минимуму вероятность сбоев системы вследствие некорректных параметров ОЗУ и позволит выжать из вашего компьютера все, на что он способен.

Помогла ли Вам статья?

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются объем, а также тактовая частота. Но помимо этого довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Следующие таблички помогут подобрать наиболее удачные и работоспособные тайминги для памяти DDR3 в китайских материнских платах сокета 2011 и не только.

Важно помнить, что стабильность системы, как и возможность взять ту или иную частоту зависит не только от самой памяти, но и от используемого процессора (контроллер памяти находится именно в нём) и материнской платы.

Не лишним также будет узнать, какие чипы установлены в модуле памяти. Для чипов производства Samsung можно воспользоваться этой инструкцией, для чипов других производителей — не сложно нагуглить.

Некоторые особенности работы памяти на 2011 сокете

• Частота контроллера памяти привязана к частоте ядер, поэтому скорость чтениязаписи у младших моделей будет несколько ниже, чем у старших.
• Небольшая разница между чтением и записью на процессорах второго поколения — это нормально.
• Как ни странно, некоторые процессоры второго поколения зачастую берут более низкую частоту памяти, чем аналогичные процессоры первого поколения. Например, E5 2620 v2 и E5 2630 v2 обычно не способны работать с памятью выше 1600 Мгц. E5 2650 v2 как правило не берет больше 1866 Мгц.

Для большинства конфигураций хорошим результатом будет работа памяти на частоте 1866 Мгц с задержками менее 70 ns. В четырехканале при этом достигается скорость ~50 Гбс.

Взять частоту в 2133 Мгц — более сложная задача, доступная уже не каждому процессору и набору памяти.

Для систем, ограниченных порогом в 1600 Мгц, хорошим решением будет найти максимально низкие стабильные тайминги. Ну а оставаться на частоте в 1333 Мгц даже при низких таймингах смысла довольно мало, скорость памяти по современным меркам будет весьма посредственной.

Как узнать скорость записичтения и латентность памяти

Проще всего — запустив тест кэша и памяти в Aida64. После прохождения программа покажет все необходимые данные, а также текущую скорость памяти и основные тайминги. Сохранив скриншот этого окна, можно будет легко сравнить результаты после изменения конфигурации ram.

Aida 64 — платный софт с ограниченным бесплатным функционалом. Но если покупать полноценную версию по каким-то причинам не хочется, ключ для активации легко находится в том же гугле.

Как проверить стабильность памяти

Если система запустилась на желаемой частоте с выбранными таймингами, это еще не значит, что она стабильна. Чтобы не словить синий экран в процессе игры или работы — проверяйте стабильность памяти. Стандартные тесты, вроде Aida64 могут и не выявить ошибки в работе ram. Лучше использовать для этого специальный софт, например TestMem5 (программа бесплатная).

Помимо стандартных настроек, существуют и пользовательские конфиги для TestMem. Одним из наиболее популярных считается конфиг от 1usmus. Для его использования — замените содержимое файла MT.cfg в папке bin программы. Стандартные настройки можно забэкапить в другой файл.

Успешным считается прохождение теста, при котором нет ни одной ошибки.

Где можно недорого докупить памяти

С массовым переходом на DDR4, память предыдущего поколения хоть и не сильно, но подешевела. Приобрести DDR3 можно на aliexpress, это наиболее выгодный и удобный способ.

Обычные десктопные модули можно купить здесь (Zifei), здесь (Atermiter) и вот тут (Kingston HyperX Fury). С недавних пор память выпускает даже Huananzhi.

Модули для ноутбуков продаются здесь и здесь.

Недорогая серверная DDR3 ECC REG есть у следующих продавцов:

• Первый
• Второй
• Третий

Оригинальные серверные модули Samsung 1866 Мгц можно найти у этого продавца.