Missing model statement microcap ошибка

Работа по теме: 1325-Electrotechnica_lab. ВУЗ: ТУСУР. Страница 16.

150

умолчанию полагается d = 0;

DIFD(u,v[,d]) – cравнение значений двух логических u и v во всех дискретных точках при расчете переходных процессов. DIFA присваивается значение 1, если во всех точках значения функций отличаются друг от друга, в противном случае присваивается 0. В течение первых d секунд после начала расчета переходных процессов сравнение не проводится. Параметр d необязательный, по умолчанию полагается d = 0.

151

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 — НЕКОТОРЫЕ ШАБЛОНЫ ЦЕЛЕВЫХ ФУНКЦИЙ, ВСТРОЕННЫЕ В ПРОГРАММУ MICROCAP

High_X – нахождение абсциссы наибольшего значения графика функ-

ции;

High_Y – нахождение ординаты наибольшего значения графика функ-

ции;

Low_X – нахождение абсциссы наименьшего значения графика функ-

ции;

Low_Y – нахождение ординаты наименьшего значения графика функ-

ции;

Peak_X – нахождение абсциссы графика функции, которое соответствует N-ому локальному максимуму функции;

Peak_Y – нахождение ординаты графика функции, которое соответствует N-ому локальному максимуму функции;

Period – нахождение N-ого периода выражения Y. Период вычисляется как разность абсцисс последовательности точек, проходящих через среднее значение Y;

Valley_X – нахождение абсциссы графика функции, которое соответствует N-ому локальному минимуму функции;

Valley_Y – нахождение ординаты графика функции, которое соответствует N-ому локальному минимуму функции;

X_ Range – нахождение диапазона (размаха) по оси абсцисс значений аргумента при изменении значений функции от Y_Low до Y_High;

Y_Range – нахождение диапазона (размаха) по оси ординат значений функции на промежутке от X_Low до X_High.

152

ПРИЛОЖЕНИЕ 3 – ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ ОТЧЕТА ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

КАФЕДРА КОНСТРУИРОВАНИЯ И ПРОИЗВОДСТВА РАДИОАППАРАТУРЫ (КИПР)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №10

«ИССЛЕДОВАНИЕ ДИФФУЗИОННОЙ ЕМКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА»

по дисциплине «Общая электротехника и электроника — 2»

Выполнил студент группы 230-1

__________ А.В.Умников 26 апреля 2012 г.

Проверил доцент каф. КИПР

__________ Д.В.Озёркин « »________ 2012 г.

Томск, 2012

153

Цели работы

1.Исследование зависимости диффузионной емкости полупроводниковых диодов от внешнего напряжения.

2.Приобретение навыков моделирования электронных схем во временной области.

3.Составление символических выражений для определения дифференциальных характеристик в MicroCAP.

Лабораторное задание №1.

Условие. Требуется исследовать зависимость диффузионной емкости полупроводникового диода КД105Б от изменяющегося во времени прямого напряжения. Переменный сигнал представляет собой положительное пилообразное напряжение амплитудой 1В и постоянной составляющей 0В. Длительность переднего и заднего фронтов равны по 0.5 с; период повторения импульсов – 1 с.

Выполнение. Для использования математической модели полупроводникового диода КД105Б был подключен файл my_diode.lib.

Полупроводниковый диод КД105Б включен в прямом направлении последовательно с токоограничивающим резистором R и источником импульсного напряжения E (рисунок 1).

Рисунок 1 – Схема включения полупроводникового диода для измерения диффузионной емкости

Задание характеристик импульсного сигнала проведено в интерактивном режиме. Согласно исходным данным параметры импульсного источника равны: V1 = 0; V2 = 1; TD = 0; TR = 0.5; TF = 0.5; PW = 0; PER = 1. Форма входного сигнала – пилообразное напряжение – соответствует введенным данным (рисунок 2).

Рисунок 2 – Входной сигнал

154

Перед выполнением анализа во временной области были заданы следующие параметры моделирования:

временной диапазон – 1 с;

временной шаг – 0.01 с.

Выражение для диффузионной емкости диода C dQ запишем как dU

DEL(Q(VD))/DEL(V(2)), где Q(VD) – заряд на диоде VD; V(2) – потенциал контрольной точки 2 или напряжение на диоде; DEL – встроенная дифференциальная функция MicroCAP.

Таблица параметров для построения графиков выглядит следующим образом:

P

X Expression

Y Expression

1

V(1)

DEL(Q(VD))/DEL(V(2))

2

TIME

DEL(Q(VD))/DEL(V(2))

3

TIME

I(VD)

4

TIME

V(2)

4

TIME

V(1)

Результаты исследования диффузионной емкости полупроводникового диода представлены на рисунке 3.

а) – зависимость диффузионной емкости от входного напряжения; б) – временная зависимость диффузионной емкости; в) – временная зависимость тока через диод; г) – временные зависимости входного напряжения (1) и напряжения на диоде (2)

Рисунок 3 – Результаты исследования диффузионной емкости

155

На первом графике можно наблюдать петлю гистерезиса, которая характеризует сначала накопление неравновесного заряда в p— и n-областях, а затем процесс рекомбинации, зависящий от времени жизни неравновесных носителей заряда.

На втором графике представлена временная зависимость изменения диффузионной емкости диода. В режиме электронного курсора измеренное максимальное значение диффузионной емкости СДИФ составило около 14 нФ.

На третьем и четвертом графиках представлены, соответственно, временные зависимости тока и напряжения на диоде (вместе со входным сигналом). При этом максимальное значение тока составляет 42 мА; максимальное значение напряжения на диоде 0.58 В.

Для случая, когда длительность импульса входного сигнала намного превышает время диффузии носителей заряда сквозь базу, диффузионная емкость определяется как:

C ДИФ

q

I ,

kT

где q – заряд электрона; k – постоянная Больцмана; T – температура в градусах Цельсия; I – значение прямого тока через диод; — время жизни носителей заряда в базе диода.

Определим время жизни носителей заряда, учитывая, что в данном случае максимальные значения диффузионной емкости и тока равны СДИФ = 14 нФ и I = 42 мА, соответственно:

С

ДИФ

kT 14 10 9 1.38 10

23 27

7.8 10

10 c 0.78нс .

qI

1.6 10 19

42 10 3

Выводы по лабораторному заданию №1. Анализируя совместно все четыре полученные зависимости можно сделать следующий вывод. В области малых прямых напряжениях (менее 0.5 В), когда диод «закрыт», изменение прямого напряжения не приводит к образованию диффузионной емкости. В этой области напряжений процессы рекомбинации доминируют над процессами накопления неравновесного заряда в p— и n-областях структуры. Начиная со значения прямого напряжения 0.5 В, когда диод начинает «приоткрываться», процессы рекомбинации уже не состоянии нейтрализовать накопленный заряд, поэтому начинает проявлять себя диффузионная емкость диода.

Лабораторное задание №2

……………………

Ответы на контрольные вопросы

1.Чем определяется постоянная времени диода? Она определяется временем пролета неосновных носителей заряда через базу диода.

2.…………………………………………………………..

156

ПРИЛОЖЕНИЕ 4 – СООТВЕТСТВИЕ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ НЕКОТОРЫХ ЭРЭ В РОССИИ И ЗА РУБЕЖОМ

Таблица

Обозначения, принятые в

Обозначения, принятые в Mi-

ЕСКД

croCAP

Название ЭРЭ

Символ по-

Условное

Символ по-

Условное

зиционного

графическое

зиционного

графическое

обозначения

обозначение

обозначения

обозначение

Общий провод-

ник

Резистор посто-

R

R

янный

Резистор пере-

R

R

менный

Конденсатор по-

C

C

стоянный

Конденсатор по-

стоянный поля-

C

C

ризованный

Катушка индук-

L

L

тивности

Диод выпрями-

VD

D

тельный

Стабилитрон

VD

D

Биполярный

VT

Q

транзистор npn

Биполярный

VT

Q

транзистор pnp

Полевой транзи-

стор с pn пере-

VT

J

ходом и n

каналом

157

Продолжение таблицы

Обозначения, принятые в

Обозначения, принятые в

ЕСКД

MicroCAP

Название ЭРЭ

Символ по-

Условное

Символ по-

Условное

зиционного

графическое

зиционного

графическое

обозначения

обозначение

обозначения

обозначение

Полевой транзи-

стор с pn пере-

VT

J

ходом и p

каналом

МДП-транзистор

с встроенным n

VT

M

каналом

МДП-транзистор

с встроенным p

VT

M

каналом

МДП-транзистор

с индуцирован-

VT

M

ным n-каналом

МДП-транзистор

с индуцирован-

VT

M

ным p-каналом

Линия задержки

Т

Т

Элемент питания

GB

V

158

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 – НЕКОТОРЫЕ СООБЩЕНИЯ ОБ ОШИБКАХ, ВЫДАВАЕМЫЕ ПРОГРАММОЙ MICROCAP 7

В этом Приложении приведены некоторые сообщения об ошибках, возникающие при моделировании в программе MicroCAP 7, а также их краткое толкование. Список сообщений об ошибках упорядочен по алфавиту.

1.Can’t find label in V(…). Не найдена метка в символическом выражении V(…).

Ошибка возникает из-за несоответствия позиционного обозначения ЭРЭ на схеме и позиционного обозначения в символическом выражении, когда оно записывается в таблице диалоговых окон DC Analysis Limits, AC Analysis Limits или Transient Analysis Limits.

Ошибка может также возникнуть, если в символическом выражении содержится указание на несуществующую на схеме контрольную точку.

2.Expecting ‘…’ Parameter: … Text: … Ожидается ‘…’ в параметре

в тексте….

Сообщение возникает, когда в математической модели ЭРЭ формата SPICE содержится недопустимый символ или синтаксическая ошибка. При этом вместо символов «многоточие» будут присутствовать ожидаемый символ, название параметра и начальный фрагмент описания математической модели. Следует перейти к файлу библиотеки математических моделей и исправить указанную ошибку.

3.Failed to converge in specified number of iterations in time=0. Пре-

кращение сходимости за указанное число итераций в нулевой момент времени.

Ошибка, возникающая при работе вычислительных алгоритмов программы MicroCAP. Возможных причин может быть несколько: неправильно изображенная схема, неверно заданные номиналы, неверно заданные параметры моделирования в диалоговых окнах DC Analysis Limits, AC Analysis Limits или Transient Analysis Limits.

4.Floating point ‘overflow’. Переполнение разрядов в ячейках оперативной памяти при работе с числами с плавающей запятой.

Ошибка возникает в случае, когда в схеме встречаются (намеренно или случайно) бесконечно малые или бесконечно большие числовые значения. Часто причина ошибки заключается в неправильном использовании стандартных суффиксов MicroCAP для обозначения кратных и дольных единиц.

5.Illegal character in label ‘…’. Непредусмотренная буква в метке ‘…’.

Ошибка возникает, если в позиционных обозначениях ЭРЭ на схеме используются буквы русского алфавита.

6.Illegal temperature. Непредусмотренная температура.

Ошибка возникает при указании бесконечно малой (менее -273 С) или бесконечно большой температуры окружающей среды.

159

7. Illegal time range. Непредусмотренный временной диапазон.

Ошибка возникает при неправильном указании временного диапазона в диалоговом окне Transient Analysis Limits.

8.Inductor/voltage source loop found. Найдено короткое замыкание источника напряжения или катушки индуктивности.

Ошибка возникает, когда на схеме какой-либо проводник шунтирует источник напряжения или катушку индуктивности.

9.Matrix singular. Единичная матрица.

Ошибка возникает, когда при расчете по постоянному току в вычислительном алгоритме Ньютона-Рафсона появляется единичная матрица. Такой результат следствие неправильно заданных номиналов ЭРЭ или неправильно изображенной электрической схемы.

10. Missing model statement ‘…’. Отсутствующее наименование математической модели.

Ошибка возникает либо при ошибочном написании имени математической модели, либо при отсутствии таковой в библиотеки математических моделей.

11. Need at least two values for ‘SIN’. Нужно по крайней мере два зна-

чения для задания синусоидального сигнала.

Обычно ошибка возникает при отсутствии параметров синусоидального источника напряжения или тока при попытке провести моделирования во временной области. Подобное сообщение может появляться при отсутствии параметров у других источников сигнала (импульсных, экспоненциальных, кусочно-линейных и т.д.).

12. No Model Name Given. Математической модели ЭРЭ не дано наименование.

Ошибка, характерная при размещении на поле чертежа многопараметрических ЭРЭ, описание которых содержится в математических моделях.

13. Node … has no DC path to ground. Узел не имеет соединения по постоянному току с общим проводником.

Ошибка возникает при неправильном соединении проводниками ЭРЭ. Возможны следующие случаи: разрыв проводника в электрической цепи, наличие на схеме несоединенных выводов ЭРЭ, параллельнопоследовательное соединение подряд нескольких емкостей (приводит к появлению электрического узла без гальванической связи с остальной схемой).

14. Source not found. Источник не найден.

Ошибка возникает при указании в диалоговых окнах DC Analysis Limits, AC Analysis Limits или Transient Analysis Limits на несуществующий источник напряжения или тока.

15. The AC signal magnitudes of all sources in this circuit are zero. Ам-

плитуды переменного сигнала всех источников в этой схеме равны нулю.

Обычно ошибка возникает, если не указана амплитуда переменного сигнала в источнике напряжения или тока при попытке провести моделирование в частотной области.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
Author Topic: Problem importing models into Micro-Cap  (Read 5137 times)
0 Members and 1 Guest are viewing this topic.
LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 340

Thank You
-Given: 360
-Receive: 529


For most things related to simulation I find Proteus more than adequate.
However, from time to time a need arises to simulate more complex parts and to use PSpice models
and Micro-Cap is suitable for that.

So far, I haven’t had any problems importing manufacturers models into MC.

However, this time around I’m stuck with two models that make MC throw error when trying to use them.
While I do now some basics of Spice modelling, I find MC manuals lacking depth regarding peculiarity of supported syntax.
Of course, I tried searching the net for some useful info that doesn’t require steep learning curve but with no luck.

My guess is that the problems are related to some aspect of Spice/PSpice syntax so perhaps someone
more proficient in Spice/PSpice syntax may suggest some solution or point me into correct direction.   

1. The first model is small NE-2 gas discharge bulb.
While Proteus have a good enough model of it, of course the source is closed so no luck peeking into it.

I have found surprisingly small number of articles on topic of NE-2 simulation but one particular model is more or less
always circulating around and it seems good enough for my needs.

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
* Small Neon Lamp Behavioral Model Copyright 2003 by [email protected]
* Vs: strike voltage (bi-directional)
* Ii: threshold current boundary between strike and hold voltage
* Ti: ionization time constant of gas
* Vh: hold (regulation) voltage within normal current range
* Rh: on resistance within normal current range
* Ia: transition current to the increasing resistance of abnormal glow
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
******************************************************************
.SUBCKT NE-2H A1 A2 PARAMS: Vs=130 Ii=50u Ti=1m Vh=80 Rh=1k Ia=4m
Varc A1 arc 0 ; current sense
Garc arc A2 VALUE = {sgn(V(arc,A2))*LIMIT((abs(V(arc,A2))-V(ref))/(Rh*V(abn)),0,1)}
Carc arc A2  5p ; stray terminal capacitance
Gref 0  ref  VALUE = {Vh+(Vs-Vh)/(1+V(ion)**2)} ;
Rpar=1 ; voltage transition
Rparref 0  ref  1;
Cref ref  0  1n ; tiny capacitance here aids convergence
Gion 0  ion  VALUE = {abs(I(Varc))} ;
Rpar={1/Ii} ; measure of free ions
Rpar 0  ion  {1/Ii}
Cion ion  0  {Ti*Ii} ; gas ionization time constant
Gabn 0  abn  VALUE = {Ia**2}+I(Varc)**2 ;
Rpar={1/Ia**2} ; abnormal glow
Rparabn 0 abn {1/Ia**2}
Cabn abn  0  1p ; tiny capacitance here aids convergence
.ENDS NE-2H

It looks like PSpice syntax and MC should be able to run it but when the sim starts I get following errors:

Warning: Part names have been changed.
RPAR1=1 changed to RPAR_1

following with

Error: Missing Nodes.
Part: X13.RPAR_1
File: C:TEST.CIR
.Subckt: X13 calls NE-2H

To me it seems as if MC doesn’t like assigning value to a Rpar for some reason but at this point I’m at loss on how to proceed further.

2. The second model are ordinary cheap MOSFET driver TC4429 which is successfully modelled in Proteus but not in MC.
Microchip offers PSpice models but they also make MC throw an error.

.SUBCKT TC4429 1 2 3 4
*                    | | | |
*                    | | | Negative Supply
*                    | | Positive Supply
*                    | Output
*                    Input
*
********************************************************************************
* Software License Agreement                                                   *
*                                                                              *
* The software supplied herewith by Microchip Technology Incorporated (the     *
* ‘Company’) is intended and supplied to you, the Company’s customer, for use  *
* solely and exclusively on Microchip products.                                 *
*                                                                              *
* The software is owned by the Company and/or its supplier, and is protected   *
* under applicable copyright laws. All rights are reserved. Any use in         *
* violation of the foregoing restrictions may subject the user to criminal     *
* sanctions under applicable laws, as well as to civil liability for the       *
* breach of the terms and conditions of this license.                          *
*                                                                              *
* THIS SOFTWARE IS PROVIDED IN AN ‘AS IS’ CONDITION. NO WARRANTIES, WHETHER    *
* EXPRESS, IMPLIED OR STATUTORY, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, IMPLIED        *
* WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE APPLY TO  *
* THIS SOFTWARE. THE COMPANY SHALL NOT, IN ANY CIRCUMSTANCES, BE LIABLE FOR    *
* SPECIAL, INCIDENTAL OR CONSEQUENTIAL DAMAGES, FOR ANY REASON WHATSOEVER.     *
********************************************************************************
*
* The following MOSFET drivers are covered by this model:
*      Rev A Testing — TC4429
*
* Polarity: Inverting
*
* Date of model creation: 1/26/2007
* Level of Model Creator: A
*
* Revision History:
*      12/24/07 HNV Created by edit of TC4423_I2D_A
*       2/28/08 HNV Updated quiescent current, adjust speed
*
* Recommendations:
*      Use PSPICE (or SPICE 2G6; other simulators may require translation)
*      For a quick, effective design, use a combination of: data sheet
*            specs, bench testing, and simulations with this macromodel
*      For high impedance circuits, set GMIN=100F in the .OPTIONS statement
*
* Supported:
*      Typical performance for temperature range (-40 to 125) degrees Celsius
*      DC, AC, Transient, and Noise analyses.
*      Most specs, including: propgation delays, rise times, fall times, max sink/source current,
*            input thresholds, voltage ranges, supply current, … , etc.
*      Temperature effects for Ibias, Iquiescent, output current, output
*            resistance,….,etc.
*
* Not Supported:
*      Some Variation in specs vs. Power Supply Voltage
*      Vos distribution, Ib distribution for Monte Carlo
*      Some Temperature analysis
*      Process variation
*      Behavior outside normal operating region
*
* Known Discrepancies in Model vs. Datasheet:
*
* Input Impedance/Clamp
R1  4    1    2MEG
C1  4    1    38P
G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } ((-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } ((-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N))
* Threshold
G11 0    30    TABLE {V(1,11)}((-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3))
G12 0    30    TABLE {V(1,12)}((-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n))
R21 0 11 1 TC .3m 1.4u 
G21 0 11 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.34)(5,1.43)(6,1.5)(7,1.5)(10,1.48)(12,1.48)(18,1.5))
R22 0 12  1 TC .1m -0.8U
G22 0 12 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.16)(6,1.24)(7,1.24)(9,1.23)(11,1.23)(18,1.25))
C30 30   0    1n 
* HL Circuit
G31 0    31   TABLE { V(3, 4) } ((0,75)(5,43)(5.5,39.5)(6,37)(7,34)(8,32)(12,29.2)(17,29.8)(18,28.6))
R31 31   0    1 TC 3.2M 
G33 0    30   TABLE { V(31, 30) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
S31 31   30 31 30 SS31
* LH Circuit
G32 32   0    TABLE { V(3, 4) } ((0,31)(5,19)(6,18)(8.5,15)(11.5,14.4)(17,15.5)(18,15.4))
R32 0    32   1 TC 2.9M 10U
G34 30   0    TABLE { V(30, 32) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
R30 32   30   1MEG 
* DRIVE
G51  0 50 TABLE {V(30, 0)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(5,6.8)(15,3.3)(30,4.5))
G52 50  0 TABLE {V(0, 30)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(4,6)(13,3.2)(15,3.0)(22,2.7))
R53  0 50 1 TC -4m 12u
G50 51 60 VALUE {V(50,0)*0.8/(-0.2+18/V(3,4))+1m}
R51 51  0 1
G53  3  0 TABLE {V(51,0)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
G54  0  4 TABLE {V(0,51)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
R60 0    60   100MEG 
H67 0    69   V67 1
V67 60   59   0V
C59 0    59   1.5N
C60 561    60   2N
R59 59   2   0.5
L59 59   2   5N
* Shoot-through adjustment
VC60        56 0 0V
RC60        56 561 1m
H60         58 0 VC60 56
G60P 0 3 TABLE { V(58, 0) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
G60N 4 0 TABLE { V(0, 58) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
* Source Output
E67 67   0    TABLE {V(69, 0)}((-10,-10)(0,0)(10,50))
G63 0   63   POLY(1) 3 4 6 -280M 3M
R63 0    63   1 TC 3.3M,-2U
E61 61   65   VALUE {V(67,0)*V(63,0)}
V63 65   3    10.0M
G61 61   60   TABLE {V(61,60)}((-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(50,10N))
* Sink Output
E68 68   0    TABLE {V(69,0)}((-50,-10)(0,0)(10,10))
G64 0   64   POLY(1) 3 4 3.45 -180M 2.7M
R64 0    64   1 TC 3.3M 6U
E62 62   66   VALUE {V(68,0)*V(64,0)}
V64 66   4    10.0M
G62 60   62   TABLE {V(60,62)}(-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(10,10N))
* Bias Current
G55 0    55   TABLE {V(3,4)}((0,0)(4,296U)(6,338U)(13,410U)(17,500U)(20,750U))
G56 3    4    55 0 1
R55 55   0    1 TC  5.7M 19U
G57 0    57   TABLE {V(3,4)}((0,0)(4.4,48U)(6,54U)(7,64U)(13,68U)(16,70U)(20,78U))
G58 3    4    57 0 1
R57 57   0    1 TC  4.6M 49U
S59 55   0    1 0 SS59
* Models
.MODEL SS59 VSWITCH Roff=100MEG Ron=1m Voff=1.5V Von=1.2V
.MODEL SS31 VSWITCH Roff=100MEG Ron=800 Voff=0.2V Von=0.1V
.ENDS TC4429

However, resistors TC syntax seems to be bothersome for MC.

Error: Missing model statement ‘TC’.
Part: X12.R21
File: C:TEST2.CIR
.Subckt: X12 calls TC4429

I have tried putting TC values into square brackets as suggested in MC manual but with no luck.
There is something I’m missing but I’m not really sure what exactly.

Of course, the simplest solution would be to try models in PSpice but for some reason I have problem running it on the laptop
so for the moment I can use only MC.

Regrettably there seem to be limited resources on the net pertaining to peculiarities of MC so perhaps some of you have have some useful ideas.  Roll Eyes


Logged
optikon

Cracking Team
Hero Member
****
Offline Offline

Posts: 836

Thank You
-Given: 1064
-Receive: 1967


Have you narrowed down which particular lines are causing trouble?

When you remove certain lines or commands, the model wont run but does it eliminate the errors?

Once the errors are eliminated, we can re-write the problematic line using MC friendly syntax.

« Last Edit: May 21, 2017, 02:03:26 14:03 by optikon »
Logged

I can explain this to you. I can’t comprehend it for you.

LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 340

Thank You
-Given: 360
-Receive: 529


Thx for the reply.

1. Sure, I’ve narrowed it down to two «Rpar=1;» and «Rpar={1/Ia**2};» statements in the NE-2H model.
I commented those two statements and the model appeared to be simulating but with the wrong results.

What caught my eye is that B sources are not mentioned in the MC manual.
As it turns out B sources are common to LTspice and indeed there is a parameter «Rpar».
Take a look at LTwiki  http://ltwiki.org/index.php5?title=B_sources_(complete_reference)

For the current source, a parallel resistance may be specified with the Rpar instance parameter.

I found that capacitor models in LTspice also have «Rpar» parameter which defines parallel resistance.
So, I added parallel resistance between two same nodes and the model now seems to be working fine.

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
* Small Neon Lamp Behavioral Model Copyright 2003 by [email protected]
* Vs: strike voltage (bi-directional)
* Ii: threshold current boundary between strike and hold voltage
* Ti: ionization time constant of gas
* Vh: hold (regulation) voltage within normal current range
* Rh: on resistance within normal current range
* Ia: transition current to the increasing resistance of abnormal glow
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *
******************************************************************

.SUBCKT NE-2H A1 A2 PARAMS: Vs=130 Ii=50u Ti=1m Vh=80 Rh=1k Ia=4m
Varc A1 arc 0 ; current sense
Barc arc A2 I= sgn(V(arc,A2))*uramp(abs(V(arc,A2))-V(ref))/(Rh*V(abn))
Carc arc A2 5p ; stray terminal capacitance
*Bref 0  ref  VALUE = {Vh+(Vs-Vh)/(1+V(ion)**2)} Rpar=1 ; voltage transition
Bref 0 ref I= Vh+{Vs-Vh}/(1+V(ion)**2) ; voltage transition
Rref 0 ref 1;
Cref ref 0 1n ; tiny capacitance here aids convergence
*Bion 0  ion  VALUE = {abs(I(Varc))} Rpar={1/Ii} ; measure of free ions
Bion 0 ion I= abs(I(Varc))  ; measure of free ions
Rion 0 ion {1/Ii};
Cion ion 0 {Ti*Ii} ; gas ionization time constant
*Babn 0  abn  VALUE = {Ia**2}+I(Varc)**2 Rpar={1/Ia**2} ; abnormal glow
Babn 0 abn I= {Ia**2}+I(Varc)**2 ; abnormal glow
Rabn 0 abn {1/Ia**2};  
Cabn abn 0 1p ; tiny capacitance here aids convergence
.ENDS NE-2H

What perplexes me is that it seems that MC accepts LTspice’s B source «I» parameter but not «Rpar» and what
is even more curious is that I don’t see B source mentioned in the MC reference guide.  Lips sealed

 So, the first problem is solved.  Smiley

« Last Edit: May 22, 2017, 09:59:12 09:59 by LithiumOverdosE »
Logged
optikon

Cracking Team
Hero Member
****
Offline Offline

Posts: 836

Thank You
-Given: 1064
-Receive: 1967


In MC, NFV or NFI seem to be the behavioral voltage and current sources. I am unsure which one follows the SPICE syntax more closely but yeah, clearly a difference.


Logged

I can explain this to you. I can’t comprehend it for you.

LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 340

Thank You
-Given: 360
-Receive: 529


Indeed, but why is B source partially accepted by MC but not documented?

2. Back to TC4429 model problem.

First of all it seems that TC temperature parameter of few resistors is not in the form acceptable to MC.
As it turns out MC requires different syntax that includes equal sign and comma.

Example:

*R21 0 11 1 TC .3m 1.4u  
R21 0 11 1 TC= .3m, 1.4u

Considering that MCHP explicitly says those are PSpice models I start to wonder to which extent MC is truly PSpice compatible. Lips sealed

So, that solved the problem with the resistors TC parameters.

Then MC threw error regarding extra parenthesis in the G source tables.
Well, it seems that MCHP have two missing parentheses in their model.  Sad

That was quickly fixed and the model is suppose to be running.

Here is the corrected model:

*                                                                              *
* THIS SOFTWARE IS PROVIDED IN AN ‘AS IS’ CONDITION. NO WARRANTIES, WHETHER    *
* EXPRESS, IMPLIED OR STATUTORY, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, IMPLIED        *
* WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE APPLY TO  *
* THIS SOFTWARE. THE COMPANY SHALL NOT, IN ANY CIRCUMSTANCES, BE LIABLE FOR    *
* SPECIAL, INCIDENTAL OR CONSEQUENTIAL DAMAGES, FOR ANY REASON WHATSOEVER.     *
********************************************************************************
*
* The following MOSFET drivers are covered by this model:
*      Rev A Testing — TC4429
*
* Polarity: Inverting
*
* Date of model creation: 1/26/2007
* Level of Model Creator: A
*
* Revision History:
*      12/24/07 HNV Created by edit of TC4423_I2D_A
*       2/28/08 HNV Updated quiescent current, adjust speed
*
* Recommendations:
*      Use PSPICE (or SPICE 2G6; other simulators may require translation)
*      For a quick, effective design, use a combination of: data sheet
*            specs, bench testing, and simulations with this macromodel
*      For high impedance circuits, set GMIN=100F in the .OPTIONS statement
*
* Supported:
*      Typical performance for temperature range (-40 to 125) degrees Celsius
*      DC, AC, Transient, and Noise analyses.
*      Most specs, including: propgation delays, rise times, fall times, max sink/source current,
*            input thresholds, voltage ranges, supply current, … , etc.
*      Temperature effects for Ibias, Iquiescent, output current, output
*            resistance,….,etc.
*
* Not Supported:
*      Some Variation in specs vs. Power Supply Voltage
*      Vos distribution, Ib distribution for Monte Carlo
*      Some Temperature analysis
*      Process variation
*      Behavior outside normal operating region
*
* Known Discrepancies in Model vs. Datasheet:
*
* Input Impedance/Clamp
R1  4    1    2MEG
C1  4    1    38P
G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } ((-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } ((-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N))
* Threshold
G11 0    30    TABLE {V(1,11)}((-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3))
G12 0    30    TABLE {V(1,12)}((-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n))
*R21 0 11 1 TC .3m 1.4u  
R21 0 11 1 TC= .3m, 1.4u
G21 0 11 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.34)(5,1.43)(6,1.5)(7,1.5)(10,1.48)(12,1.48)(18,1.5))
*R22 0 12  1 TC .1m -0.8U
R22 0 12  1 TC= .1m, -0.8U
G22 0 12 TABLE { V(3, 4) }
+ ((0,0)(4,1.16)(6,1.24)(7,1.24)(9,1.23)(11,1.23)(18,1.25))
C30 30   0    1n  
* HL Circuit
G31 0    31   TABLE { V(3, 4) } ((0,75)(5,43)(5.5,39.5)(6,37)(7,34)(8,32)(12,29.2)(17,29.8)(18,28.6))
*R31 31   0    1 TC 3.2M  
R31 31   0    1 TC= 3.2M
G33 0    30   TABLE { V(31, 30) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
S31 31   30 31 30 SS31
* LH Circuit
G32 32   0    TABLE { V(3, 4) } ((0,31)(5,19)(6,18)(8.5,15)(11.5,14.4)(17,15.5)(18,15.4))
*R32 0    32   1 TC 2.9M 10U
R32 0    32   1 TC= 2.9M, 10U
G34 30   0    TABLE { V(30, 32) } ( (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n) )
R30 32   30   1MEG  
* DRIVE
G51  0 50 TABLE {V(30, 0)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(5,6.8)(15,3.3)(30,4.5))
G52 50  0 TABLE {V(0, 30)}
+((-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(4,6)(13,3.2)(15,3.0)(22,2.7))
*R53  0 50 1 TC -4m 12u
R53  0 50 1 TC= -4m, 12u
G50 51 60 VALUE {V(50,0)*0.8/(-0.2+18/V(3,4))+1m}
R51 51  0 1
G53  3  0 TABLE {V(51,0)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
G54  0  4 TABLE {V(0,51)} ((-10,10)(0,0)(1,1n))
R60 0    60   100MEG  
H67 0    69   V67 1
V67 60   59   0V
C59 0    59   1.5N
C60 561    60   2N
R59 59   2   0.5
L59 59   2   5N
* Shoot-through adjustment
VC60        56 0 0V
RC60        56 561 1m
H60         58 0 VC60 56
G60P 0 3 TABLE { V(58, 0) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
G60N 4 0 TABLE { V(0, 58) }
+ ((-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3))
* Source Output
E67 67   0    TABLE {V(69, 0)}((-10,-10)(0,0)(10,50))
G63 0   63   POLY(1) 3 4 6 -280M 3M
*R63 0    63   1 TC 3.3M -2U
R63 0    63   1 TC= 3.3M,-2U
E61 61   65   VALUE {V(67,0)*V(63,0)}
V63 65   3    10.0M
G61 61   60   TABLE {V(61,60)}((-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(50,10N))
* Sink Output
E68 68   0    TABLE {V(69,0)}((-50,-10)(0,0)(10,10))
G64 0   64   POLY(1) 3 4 3.45 -180M 2.7M
*R64 0    64   1 TC 3.3M 6U
R64 0    64   1 TC= 3.3M, 6U
E62 62   66   VALUE {V(68,0)*V(64,0)}
V64 66   4    10.0M
G62 60   62   TABLE {V(60,62)} ((-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(10,10N))
* Bias Current
G55 0    55   TABLE {V(3,4)} ((0,0)(4,296U)(6,338U)(13,410U)(17,500U)(20,750U))
G56 3    4    55 0 1
*R55 55   0    1 TC  5.7M 19U
R55 55   0    1 TC=  5.7M, 19U
G57 0    57   TABLE {V(3,4)} ((0,0)(4.4,48U)(6,54U)(7,64U)(13,68U)(16,70U)(20,78U))
G58 3    4    57 0 1
*R57 57   0    1 TC  4.6M 49U
R57 57   0    1 TC=  4.6M, 49U
S59 55   0    1 0 SS59
* Models
.MODEL SS59 VSWITCH Roff=100MEG Ron=1m Voff=1.5V Von=1.2V
.MODEL SS31 VSWITCH Roff=100MEG Ron=800 Voff=0.2V Von=0.1V
.ENDS TC4429

However, although MC doesn’t report any errors regarding the model, now I get singular matrix error. Huh

« Last Edit: May 22, 2017, 09:31:55 21:31 by LithiumOverdosE »
Logged
LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 340

Thank You
-Given: 360
-Receive: 529


I have just noticed that the MC syntax for TABLE is differs from PSpice as well.

So, the corrected model is here:

.SUBCKT TC4429 1 2 3 4
*                    | | | |
*                    | | | Negative Supply
*                    | | Positive Supply
*                    | Output
*                    Input
*
********************************************************************************
* Software License Agreement                                                   *
*                                                                              *
* The software supplied herewith by Microchip Technology Incorporated (the     *
* ‘Company’) is intended and supplied to you, the Company’s customer, for use  *
* soley and exclusively on Microchip products.                                 *
*                                                                              *
* The software is owned by the Company and/or its supplier, and is protected   *
* under applicable copyright laws. All rights are reserved. Any use in         *
* violation of the foregoing restrictions may subject the user to criminal     *
* sanctions under applicable laws, as well as to civil liability for the       *
* breach of the terms and conditions of this license.                          *
*                                                                              *
* THIS SOFTWARE IS PROVIDED IN AN ‘AS IS’ CONDITION. NO WARRANTIES, WHETHER    *
* EXPRESS, IMPLIED OR STATUTORY, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, IMPLIED        *
* WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE APPLY TO  *
* THIS SOFTWARE. THE COMPANY SHALL NOT, IN ANY CIRCUMSTANCES, BE LIABLE FOR    *
* SPECIAL, INCIDENTAL OR CONSEQUENTIAL DAMAGES, FOR ANY REASON WHATSOEVER.     *
********************************************************************************
*
* The following MOSFET drivers are covered by this model:
*      Rev A Testing — TC4429
*
* Polarity: Inverting
*
* Date of model creation: 1/26/2007
* Level of Model Creator: A
*
* Revision History:
*      12/24/07 HNV Created by edit of TC4423_I2D_A
*       2/28/08 HNV Updated quiescent current, adjust speed
*
* Recommendations:
*      Use PSPICE (or SPICE 2G6; other simulators may require translation)
*      For a quick, effective design, use a combination of: data sheet
*            specs, bench testing, and simulations with this macromodel
*      For high impedance circuits, set GMIN=100F in the .OPTIONS statement
*
* Supported:
*      Typical performance for temperature range (-40 to 125) degrees Celsius
*      DC, AC, Transient, and Noise analyses.
*      Most specs, including: propgation delays, rise times, fall times, max sink/source current,
*            input thresholds, voltage ranges, supply current, … , etc.
*      Temperature effects for Ibias, Iquiescent, output current, output
*            resistance,….,etc.
*
* Not Supported:
*      Some Variation in specs vs. Power Supply Voltage
*      Vos distribution, Ib distribution for Monte Carlo
*      Some Temperature analysis
*      Process variation
*      Behavior outside normal operating region
*
* Known Discrepancies in Model vs. Datasheet:
*
* Input Impedance/Clamp
R1  4    1    2MEG
C1  4    1    38P
*G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } ((-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G3  3    1    TABLE { V(3, 1) } = (-770M,-1.00)(-700M,-10.0M)(-630M,-10N)(0,0)(20.0,10N)
*G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } ((-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N))
G4  1    4    TABLE { V(1, 4) } = (-5.94,-1.00)(-5.4,-10.0M)(-4.86,-10N)(0,0)(20.0,10N)
* Threshold
*G11 0    30    TABLE {V(1,11)}((-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3))
G11 0    30    TABLE {V(1,11)} = (-1m,10n)(0,0)(0.88,-.1)(1.5,-0.9)(2.2,-1)(4,-1.1)(6,-1.3)
*G12 0    30    TABLE {V(1,12)}((-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n))
G12 0    30    TABLE {V(1,12)}= (-6,1.3)(-4,1.1)(-2.3,1)(-1.8,.9)(-0.7,.1)(0,0)(1,-10n)
*R21 0 11 1 TC .3m 1.4u 
R21 0 11 1 TC= .3m, 1.4u
G21 0 11 TABLE { V(3, 4) } = (0,0)(4,1.34)(5,1.43)(6,1.5)(7,1.5)(10,1.48)(12,1.48)(18,1.5)
*R22 0 12  1 TC .1m -0.8U
R22 0 12  1 TC= .1m, -0.8U
G22 0 12 TABLE { V(3, 4) } = (0,0)(4,1.16)(6,1.24)(7,1.24)(9,1.23)(11,1.23)(18,1.25)
C30 30   0    1n 
* HL Circuit
G31 0    31   TABLE { V(3, 4) } = (0,75)(5,43)(5.5,39.5)(6,37)(7,34)(8,32)(12,29.2)(17,29.8)(18,28.6)
*R31 31   0    1 TC 3.2M 
R31 31   0    1 TC= 3.2M
G33 0    30   TABLE { V(31, 30) } = (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n)
S31 31   30 31 30 SS31
* LH Circuit
G32 32   0    TABLE { V(3, 4) } = (0,31)(5,19)(6,18)(8.5,15)(11.5,14.4)(17,15.5)(18,15.4)
*R32 0    32   1 TC 2.9M 10U
R32 0    32   1 TC= 2.9M, 10U
G34 30   0    TABLE { V(30, 32) } = (-1m,-10)(0,0)(1m,5n)(1,10n)
R30 32   30   1MEG 
* DRIVE
G51  0 50 TABLE {V(30, 0)} = (-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(5,6.8)(15,3.3)(30,4.5)
G52 50  0 TABLE {V(0, 30)} = (-5,-1n)(-3,-1n)(0,0)(4,6)(13,3.2)(15,3.0)(22,2.7)
*R53  0 50 1 TC -4m 12u
R53  0 50 1 TC= -4m, 12u
G50 51 60 VALUE {V(50,0)*0.8/(-0.2+18/V(3,4))+1m}
R51 51  0 1
G53  3  0 TABLE {V(51,0)} = (-10,10)(0,0)(1,1n)
G54  0  4 TABLE {V(0,51)} = (-10,10)(0,0)(1,1n)
R60 0    60   100MEG 
H67 0    69   V67 1
V67 60   59   0V
C59 0    59   1.5N
C60 561    60   2N
R59 59   2   0.5
L59 59   2   5N
* Shoot-through adjustment
VC60        56 0 0V
RC60        56 561 1m
H60         58 0 VC60 56
G60P 0 3 TABLE { V(58, 0) } = (-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3)
G60N 4 0 TABLE { V(0, 58) } = (-1,-1u)(0,0)(30,0.8)(100,1.3)
* Source Output
E67 67   0    TABLE {V(69, 0)} = (-10,-10)(0,0)(10,50)
G63 0   63   POLY(1) 3 4 6 -280M 3M
*R63 0    63   1 TC 3.3M -2U
R63 0    63   1 TC= 3.3M,-2U
E61 61   65   VALUE {V(67,0)*V(63,0)}
V63 65   3    10.0M
G61 61   60   TABLE {V(61,60)} = (-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(50,10N)
* Sink Output
E68 68   0    TABLE {V(69,0)} = (-50,-10)(0,0)(10,10)
G64 0   64   POLY(1) 3 4 3.45 -180M 2.7M
*R64 0    64   1 TC 3.3M 6U
R64 0    64   1 TC= 3.3M, 6U
E62 62   66   VALUE {V(68,0)*V(64,0)}
V64 66   4    10.0M
G62 60   62   TABLE {V(60,62)} = (-12.0M,-200.0)(-11.0M,-60)(-10.0M,-6)(0,0)(.1,5N)(10,10N)
* Bias Current
G55 0    55   TABLE {V(3,4)} = (0,0)(4,296U)(6,338U)(13,410U)(17,500U)(20,750U)
G56 3    4    55 0 1
*R55 55   0    1 TC  5.7M 19U
R55 55   0    1 TC=  5.7M, 19U
G57 0    57   TABLE {V(3,4)} = (0,0)(4.4,48U)(6,54U)(7,64U)(13,68U)(16,70U)(20,78U)
G58 3    4    57 0 1
*R57 57   0    1 TC  4.6M 49U
R57 57   0    1 TC=  4.6M, 49U
S59 55   0    1 0 SS59
* Models
.MODEL SS59 VSWITCH Roff=100MEG Ron=1m Voff=1.5V Von=1.2V
.MODEL SS31 VSWITCH Roff=100MEG Ron=800 Voff=0.2V Von=0.1V
.ENDS TC4429

However «Matrix is singular» error persists.
I’ve raised relevant Spice parameters to the maximal reasonable level and the problem is still present.  Undecided


Logged
optikon

Cracking Team
Hero Member
****
Offline Offline

Posts: 836

Thank You
-Given: 1064
-Receive: 1967


Ive seen singular matrix errors before with Tables in G sources.. can you try commenting some of them out?

BTW, what characteristics are important for your driver model? The model seems rather complex (perhaps necessarily so)

Ive found that the tricky / important stuff for MOSFET drivers tends to not match very well in real world.. but YMMV of course.


Logged

I can explain this to you. I can’t comprehend it for you.

LithiumOverdosE

Senior Member
****
Offline Offline

Posts: 340

Thank You
-Given: 360
-Receive: 529


Actually, I have just removed the model from the test schematic, saved schematic and then added model back.
Now simulation works.  Undecided

Strange occurrences indeed.   Huh


Logged
2N5109

Junior Member
**
Offline Offline

Posts: 67

Thank You
-Given: 26
-Receive: 14


For what its worth here is LTSPICE’s NE-2 model:  

 .subckt neonbulb 1 2
S1 1 2 2 N001 G
S2 2 1 N001 2 G
R1 1 N001 100Meg
C1 N001 2 {Tau/100Meg}
.model G SW(Ron={Zon} Roff=1T Vt={.5*(Vstrike+Vhold)} Vh={.5*(Vstrike-Vhold)} Vser={Vhold-Ihold*Zon})
.param Vstrike=100 Vhold=50 Zon=2K Ihold=200u Tau=100u
.ends neonbulb

To run this you probably need this info from LTSPICE help file:  

S    Voltage Controlled Switch
Symbol Names: SW

Syntax: Sxxx n1 n2 nc+ nc- <model> [on,off]

Example:

S1 out 0 in 0 MySwitch
.model MySwitch SW(Ron=.1 Roff=1Meg Vt=0 Vh=-.5 Lser=10n Vser=.6)

The voltage between nodes nc+ and nc- controls the switch’s impedance between nodes n1 and n2. A model card is required to define the behavior of the switch.  

Voltage Controlled Switch Model Parameters:

Name   Description               Units  Default
Vt       Threshold voltage       V      0.
Vh       Hysteresis voltage      V      0.
Ron     On resistance             Ω     1.
Roff     Off resistance            Ω     1/Gmin
Lser     Series inductance       H      0.
Vser    Series voltage            V      0.
Ilimit    Current limit              A       Infin.

—2N5109

« Last Edit: June 26, 2017, 01:52:31 01:52 by 2N5109 »
Logged

SOO

1

26.02.2016, 20:58. Показов 6417. Ответов 3


Доброго времени суток. Ситуация такая: решил я помучить MicroCap v10 с целью изучения схемотехники, нашел схему колебательного контура попроще(та которая — Классика жанра) http://rodyokot.ru/stort/analog/bugs/03/ собственно отрисовал ее в MicroCap, т.к. у меня значения C1=5u и L1=15u, то после рассчетов у меня получилась частота колебательного контура f=18386Гц => T=1/18386=54us, поэтому когда я захотел увидеть, что за колебания у меня получились я в Transient analaysus выставил значение 100u для времени просмотра, после чего получил то, что на картинке http://файлообменник.рф/vomt8alb3iqn.html.
Я не понимаю… я что то делаю не так, или просто у меня MC глюченый, или схема паленая, подскажите пожалуйста. Также прилагаю файл проекта http://файлообменник.рф/lkpheyi5h3lb.html.
P.S. сорри за ссылки, просто не получается загрузить на форум ни изображение, ни zip папку с проектом.

__________________
Помощь в написании контрольных, курсовых и дипломных работ, диссертаций здесь

Programming

Эксперт

94731 / 64177 / 26122

Регистрация: 12.04.2006

Сообщений: 116,782

26.02.2016, 20:58

3

0 / 0 / 0

Регистрация: 07.02.2106

Сообщений: 3,113

26.02.2016, 21:34

2

Не выкладывайте картинки на порнообменники.

По схеме.
Все автогенераторы для симуляторов есть большая проблема. Если есть проблема, то подавайте на схему питание не от DC источника, а с импульсного (в начале 0V, затем Vdd).
Конкретно в этой схеме — конденсатор С3 может и сглаживает работу генератора, но симулятор не может вытянуть генерацию. Замените его на два, продублировав еще одним — с базы на Vdd, номинал такой-же. Либо убирайте конденсатор С3 и резистивный делитель и подавайте на базу импульсное напряжение 0-2В. Генератор без особого запаса по петлевому усилению, поэтому С1 (0-47p) не должен существенно превышать С2 (15p).



0



SOO

26.02.2016, 23:08

3

Попробывал сделать как вы написали, в случае с импульсным источником питания колебания идут, НО частота колебаний не совпадает с рассчитанными мягко говоря(T=1us получается при рассчитанной 56us) в случае если убираю C3 и делитель напряжения получается пила, НО амплитуда колебаний измеряется в фемто вольтах, что тоже не есть гуд.
В общем как я понял из вашего поста лучше выкинуть на помойку MicroCap и отлаживать генератор на предмет работоспособности сначала на звуковой частоте с динамиком в качестве нагрузки, а потом уже с рассчитанными значениями C и L использовать :/

0 / 0 / 0

Регистрация: 07.02.2106

Сообщений: 3,113

26.02.2016, 23:12

4

При С1=С2=15p и L=15u получается период 110ns. Симуляция была на транзисторе BC846B. (PSPICE)



0



Вообще мне кажется преподаватели редко пишут книги именно для радиолюбителей.

ПАПА, интересно, а что хотелось бы видеть в книге «Мicro-Cap для радиолюбителей»?

Поправьте, если не прав. Радиолюбители в литературе хотят в первую очередь набор готовых рецептов. Сответственно, большая часть радиолюбительских книг — это описание схем и принципов их работы (часто очень упрощенное), а также методик сборки и настройки, предполагающих, что человек не обладающий большими знаниями в области электроники воспользуется этими методиками и получит более-менее работоспособный вариант схемы. А Micro-Cap — это не инструмент для настройки, а инструмент для исследования схемы, результаты использования которого часто дают больше вопросов, чем ответов. Чтобы этим инструментом пользоваться, его сначала нужно изучить. И это сразу выбрасывает книги по симуляторам из ниши радиолюбительской литературы.

Для себя проблему написания книги «Micro-Cap для радиолюбителей» вижу в противоречии: Micro-Cap как инструмент исследования сложнее, чем большая часть радиолюбительских схем. И грамотное пользование этим инструментом требует серьезных объяснений методики использования этой программы. Вот и получается, что либо объясняешь, как работает схема, либо как все это правильно моделировать. Либо это будут обрывочные сведения, пригодные для только выбранной задачи, а при попытках промоделировать что-то другое могут понадобиться другие сведения. А если описывать все и подробно — многотомник получится, который никто не рискнет издавать и вряд ли кто возьмется читать.

У меня периодически возникают мысли собрать в одной книжке описание основных узлов электронных схем с примерами моделирования. Но по прикидкам объем получается громадный. Например, краткое описание моделирования 11 схем в книге о Micro-Cap9 занимает 30 страниц (без описания принципа работы схем). С описанием работы и иллюстрациями получится явно не менее 4 страниц на схему. Рассмотреть целесообразно не менее 300 схем (чтобы хоть в общих чертах рассмотреть основные направления электроники). Плюс хотя бы краткое описание Micro-Cap (явно меньше 100 страниц не получится). Итого — 1300 страниц минимум. Это уже двухтомник получается.

А по-хорошему, это должно быть что-то типа «Искусства схемотехники» (Хорвиц, Хилл (с)), но только с примерами моделирования, которые удвоят объем. Итого — 4 тома.

Написать это вполне реально (года два работы). Вопрос только, будет ли это покупаться. Я, лично, очень сомневаюсь. Вряд ли это кому-то, кроме студентов, надо, а они не очень-то раскошелятся на дорогое объемное издание. Плюс пиратство.

В общем, написать книгу для радиолюбителей можно. Остается узнать, что там хотят видеть радиолюбители, поскольку я это не очень представляю.

Понравилась статья? Поделить с друзьями:
  • Missing map maps disconnecting как исправить garry s mod
  • Missing map maps disconnecting как исправить css на сервере
  • Missing map maps disconnecting как исправить css v34
  • Missing map maps disconnecting как исправить cs source v34
  • Missing map maps disconnecting как исправить cs go сервер